nanogate

Пользовательский обзор ноутбука Vinga Twizzle J116

2020-02-12T19:29:00.001+02:00

Опишу свою мнение, без пафоса, по существу. Искал ноутбук на замену стационарному ПК до 6500 грн (~260 usd). На сегодня, в данную цену предлагается свалка бюджетных ноутов в первую очередь от HP, Lenovo, Acer, Asus, Dell. Все они с TN матрицами – их главный минус –, пластмассовые, посредственной сборки, и для своих бюджетных характеристик, с однозначно завышенной ценой. Годами эти производители не поднимают класс экрана в бюджетном сегменте, естественно, намерено. Наша альтернатива в таком случае – но-нейм бренды с АлиЕкспресс. За 260 usd китайцы ставят IPS матрицы без проблем. Пусть даже с самым маленьким sRGB-охватом, но однозначно лучше, чем TN по углам обзора, цветопередаче, контрасту. Недостаток АлиЕкспресс, что нам неизвестно что приедет в итоге, и вообще ли новое/рабочее. При этом, гарантию на товар мы получаем мнимую, и возни с отправкой назад будет много. В лучшем случае потратим время, и часть денег за пересылку. Еще вариант – искать какие онлайн-магазины внутри страны импортировали тот ширпотреб, что мы видели на АлиЕкспресс.

Во время своих поисков, наткнулся на но-нейм бренд Vinga, который, как оказалось – наш – украинский. Этот бренд принадлежит и продвигает сеть магазинов Brain, которая существует со времен, когда я был школьником. Они выпускают, в том числе, ноутбуки, и аккурат за 6000 грн (~240 usd) были доступны модели на 11,6 и 14 дюймов. Их очевидные плюсы – использование IPS матрицы, алюминиевый корпус, доступность и послегарантийного ремонта в сервис центре Brain. Я остановил свой выбор на самом портативном варианте на 11,6 дюймов. Почитав отзывы на сайте Vinga, стало понятно, что у них много брака со старта; а проверив сайт Brain, оказалось ноутбуки можно купить с ремонта еще дешевле, в разделе «Уцененные товары». И ноутбук с ремонта вам наверняка не придется нести в ремонт 🙂.

Итак, я купил восстановленный Vinga Twizzle J116 (J116-C40464B) - базовую модель на процессоре Intel Celeron N4000, за 4200 грн (~168 usd), с гарантией 1 год. Ноутбук по цене смартфона – вау 😊! По моему мнению, это его самая адекватная цена, учитывая качество и характеристики. Он был указан как с царапиной внутри корпуса, но по факту были мелкие внешние. Просто все восстановленное идет под одной биркой. Единственное, было видно в правом нижнем углу корпус был варварски вскрыт – две прилегающие панели получили дугообразный зазор.

Синопсис
Для Офиса, почты, Скайпа (кроме голосовых звонков), Ютуба (даже 4K 60FPS) подходит идеально - двухъядерный Целерон все это тянет на легких. Windows 10 Pro на нем достаточно резво крутиться. IPS экран – его главный козырь – глазам от него в разы легче при длительном просмотре, чем от мерзких вездесущих “прощайте глаза” TN матриц. Алюминиевый корпус ощущается в руках цельно-деформацио-устойчивым.

Про все замечания, что нашел
1. Практически по центру экрана 4-5 битых пикселя. Два из них – черные, три – зеленые:

2. IPS экран не выровнен относительно защитного стекла. Нижний край матрицы визуально находится на 2,5 мм выше нижней черной границы защитного стекла:

3. Клик правой кнопкой тачпада (кнопки скрыты под тачпадом) происходит чересчур громко и нечетко, в сравнении с кликом левой кнопкой.
4. При полном заряде батареи, и подключенном в корпус штекере блока питания, в районе штекера начинает исходить высокочастотный, хорошо слышимый писк, который довольно бьёт по ушам вечером, даже на расстоянии 1 метр от ноутбука.
5. Веб камера приделана ради галочки. Она скорее демонстрирует отсутствие качества картинки. Само пластмассовое стекло камеры заклеено защитной пленкой, которую получилось поддеть только иголкой, поцарапав само стекло.
6. Два микрофона слабочуствительны к голосу даже на расстоянии 30 см от них. При этом, микрофоны очень хорошо ловят шум самой электроники, что слышно на тестовых Скайп-звонках.
7. При развороте экрана на 360°, клавиатура не блокировалась. Вопрос решился повторной установкой драйверов “06_360Lock_touch_pad” и “11_G_sensor_20180327_1.1.1.0” правой кнопкой -> “Запустить Как Администратор”. Запуск выполнял всех .exe и .bat файлов что лежат в папках.
8. Кнопка Del отсутствует. Вопрос решился переназначением клавиши Ins как Del с помощью программы SharpKeys. Иначе все удаления символов приходится адаптировать через Backspace.
9. Корпус поскрипывает, когда его не только крутишь-вертишь, но и просто берешь в руки.
10. Встроенный USB 2.0 кард-ридер устарел по сегодняшним меркам. Современные microSD карты памяти легко выдают 100МБ на чтение, 80МБ на запись.
11. Сенсорный экран перестает работать после установки SSD. На мой взгляд, сенсор тут - лишняя фича. Проверили, что он работает с коробки, и забыли про него.
12. Под защитное стекло со временем пробирается пыль. В моем случае, в верхних углах экрана.

Размеры и разобранный вид
По советской линейке - 27,8х18,9х1,5 см. С установленным SSD и microSD-картой весит 1210 грамм.

Забавно, в качестве охлаждения Celeron N4000 используется жестяная пластина. Процессор одновременно и энергоэффективный (заявленная мощность - 6 Ватт), и достаточно производительный:

Настройка экрана
Сама IPS матрица светит голубоватым оттенком, что хорошо заметно на белом фоне. В Windows 10 есть режим «Night Light» - изменение оттенка экрана на красный. Если выставить режим, например, на 10%, и держать постоянно включенным, можно перебить голубизну.

Тесты стабильности
При непрерывной двухчасовой нагрузке в OCCT 5.4.2, двухъядерный Celeron N4000 продолжительно стабильно держит частоты обоих ядер на уровне 2ГГц, и частоту графического ядра на уровне 350МГц. Температура всего кристалла при этом находится в пределах 76-78 °C, а TDP – 9 Ватт.

По играм
Я прошел на нем Prince of Persia: The Forgotten Sands – игру 2010 года. При указанной стабильности частот, чувствуется около 15 FPS на разрешении 1280x720.

Тесты скорости дисковых систем
1. Встроенный SSD на самом деле является флеш-памятью стандарта eMMC 5.1. Такая память распространена в смартфонах, и по тестам работает на пределе стандарта: макс. последовательные 250 МБ/с на чтение, 125 МБ/с на запись:

2. Встроенный microSD USB2.0 карт-ридер:

Использовать microSD карту в качестве хранилища файлов – неудобно, не только по скорости, но и потому, что после возвращения ноутбука со сна, файловая система microSD карты оказывается часто повреждена. Впоследствии, легко ошибиться, и совсем ее отформатировать.

3. В ноутбук устанавливается SATA3 SSD форм-фактора M.2 2280. SSD крепится винтиком, который поначалу заклинен, но он все же откручивается крестовой отверткой на 2,4мм. До этого у меня получилось сорвать конец одной отвертки на 2,0мм, и было непонятно как его откручивать. SSD нужно ставить односторонний, так как пластмассовая рамка под местом установки точно будет упираться в микросхемы:

Я выбрал Kingston SUV500M8/240G. В нем используется контроллер Marvell 88SS1074, представленный еще в 2014 году, DRAM DDR3-1600 чип на 128МБ, и две 3D TLC флеш-микросхемы. В накопителях с TLC флеш-микросхемами часть памяти работает в режиме SLC-кеша. В пределах SLC-кеша показатели скорости будут топовыми:

По данным сайта Legit Reviews, в серии UV500, Kingston выделяет следующее количество SLC-кеша:

120GB	240GB	480GB	960GB	1920GB
1.78GB	3.56GB	7.12GB	25.25GB	39.75GB

После заполнения кеша, скорости падают к реалиям TLC флеш-памяти:

При копировании 4GB-файла в пределах диска, например, это может быть фильм, SSD показывает новый минимум:

Показатели быстродействия UV500 240GB M.2 практически на уровне, более дешевого, без-DRAM-ного Kingston A400 240GB M.2 SATA3 диска на контроллере Phison. При выборе SSD я делал ставку на ресурс в 100TB, официальную гарантию Kingston в Украине, стабильность контроллера Marvell, проверенную временем, и его техпроцесс в 28-нанометров, т.е. энергоэффективность.

Вывод
Vinga Twizzle J116 – это прикольная портативная прочная алюминиевая игрушка, которая без проблем заменяет огромный стационарный блок ПК с монитором. Используемые украинско-китайские технологии в его создании дают о себе знать – у него много неточностей в сборке.

Учитывая его малый вес и размеры, прочность и цену, можно придумать такие альтернативные варианты его использования:
1. Незаметно носить под курткой как броник
2. Зимой как поджопник с горки кататься
3. Ваши варианты в комментариях

Лично для меня, ноутбуки Vinga стали открытием, которое я и искал под сценарии использования: «печатная машинка», «просмотр видео», «замена комбо ПК+монитор для освобождения места». У них достаточный потенциал, чтобы вытеснить в прошлое весь ассортимент бюджетных ноутбуков с TN матрицами от именитых брендов.

Crucial M500 SSD

2013-01-13T23:02:00.000+02:00

10 января 2013 года Micron Technology, Inc. представила серию твердотельных накопителей M500. Новый M500 SSD задействует 8-канальный контроллер Marvell 88SS9187 SATA 3.1 6Гбит/сек и передовую 20-нанометровую 128Gbit (16GiB) ONFI 3.0 (333 MT/сек) MLC NAND флеш-память от Micron. Флеш-память с ёмкостью кристалла 16GiB позволяет достичь ёмкости накопителя в 1 терабайт всего с восемью флеш-микросхемами (одна микросхема может размещать до 8 кристаллов). Crucial M500 960GB SSD будет изначально оценён ниже $600 (<0,625 доллара за гигабайт).
Серия M500 представлена также в форм-факторах mSATA и новом M.2, которые являются основными форматами, использующимися в ультратонких компьютерах сегодняшнего и следующего поколений, таких как Ultrabook-и, планшетные и компьютеры-трансформеры. Форм-факторы mSATA и M.2 будут доступны только в ёмкостях 120GB, 240GB и 480GB.
Накопитель в форм-факторе 2.5 дюйма ожидается в продаже в первой четверти 2013. Форм-факторы M.2 и mSATA появятся во второй четверти 2013.

Сравнение форм-факторов Crucial M500:

	Длина	x Ширина	x Толщина
2.5 дюйма	100,45	x 69,85	x 7мм
mSATA	50,80	x 29,85	x 3,75мм
M.2	80	x 22	x 3,5мм

Физические размеры SSD устанавливаются стандартами JEDEC. SSD форм-факторов M.2 и mSATA выпускаются без корпусов в открытом виде.

Технические характеристики:
- Вес:
  2.5 дюйма: макс. 70 грамм
  mSATA, M.2: макс. 10 грамм
- Потр. напряжение:
  2.5 дюйма: 5В ± 10%
  mSATA, M.2: 3,3В ± 5%

	120GB	240GB	480GB	960GB
Тип микросхем	20nm Micron MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма, mSATA и M.2
¹Последов. чтение (МБ/с)	500
¹Последов. запись (МБ/с)	130	250	400	400
²Произвол. чтение 4 KB QD32 (IOPS)	62,000	72,000	80,000	80,000
(МБ/с)	248	288	320	320
²Произвол. запись 4 KB QD32 (IOPS)	35,000	60,000	80,000	80,000
(МБ/с)	140	240	320	320
³Ресурс записи	72TB
MTBF	1,2 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	150/<100 мВт
Гарантия	3 года

TB (Терабайт) = 1000 гигабайт.
1. Максимальные последовательные скорости получены в IOMeter, QD32.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в IOMeter, QD32, на промежутке пространства 8GB при заполненном SSD.
3. Равносильно 40GB записываемых данных в день на протяжении 5 лет.

Обновлено 09.08.2013:
Стоимость в США:

Crucial M500 2.5"	120GB	240GB	480GB	960GB
Crucial M500 2.5"	$119.99	$199.99	$394.99	$599.99

Конфигурация компонентов SSD:

	Crucial M500 2.5"
	120GB	240GB	480GB	960GB
Микросхем на плате	8 × 16GiB	16 × 16GiB	16 × 32GiB	16 × 64GiB
Кристаллов в микросхеме	1 × 16GiB	1 × 16GiB	2 × 16GiB	4 × 16GiB
Физический объём накопителя	128GiB	256GiB	512GiB	1024GiB
Отведены в резерв	16.2GiB (12,6%)	32.4GiB (12,6%)	64.9GiB (12,6%)	129.7GiB (12,6%)
DRAM кеш-памяти	1 × 256MB	1 × 256MB	1 × 512MB	2 × 512MB
Форматированная ёмкость	111.8GiB	223.6GiB	447.1GiB	894.3GiB

	Микросхемы		DRAM кеш-память
	Тип	Маркировка	Тип	Маркировка
Crucial M500 2.5"
120GB	MLC	3BA12 NW523	DDR3L-1600	2ZK17 D9QNP
240GB		3CA22 NW523		2ZK17 D9QNP
480GB		3DA12 NW526		2ZE12 D9QLJ
960GB		3CA12 NW524		2ZE12 D9QLJ

Тестовая конфигурация:
1) Crucial M500 2.5" 120GB/240GB/480GB/960GB: MSI Z77A-GD80, Intel Core i7-3770K, Corsair Vengeance 32GB DDR3-1866 RAM, Windows 7 x64.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	120GB	240GB	480GB	960GB
Последовательное чтение:	490.0	498.4	498.0	496.2
Произвольное чтение 512KB:	454.9	460.7	456.9	458.8
Произвольное чтение 4КВ:	29.28	29.37	29.29	29.05
Произвольное чтение 4КВ QD32:	274.9	316.1	349.8	341.9

Последовательная запись:	141.6	274.1	434.0	440.3
Произвольная запись 512KB:	139.2	274.1	434.0	441.8
Произвольная запись 4КВ:	121.1	137.7	135.5	134.8
Произвольная запись 4КВ QD32:	139.7	260.3	319.6	344.2

Источники: www.anandtech.com; www.tweaktown.com (1), (2), (3), (4)

SanDisk Ultra Plus SSD

2013-01-12T16:47:00.000+02:00

7 января 2013 года, на выставке потребительской электроники CES 2013 в Лас-Вегасе, корпорация SanDisk объявила о выпуске серии твердотельных накопителей SanDisk Ultra Plus SSD, построенной на 4-канальном контроллере Marvell 88SS9175 SATA 3.0 6Гбит/с и флеш-памяти 19nm SanDisk eX2 ABL MLC NAND.
SanDisk Ultra Plus SSD доступен в США по цене 64GB/$74.99, 128GB/$109.99 и 256GB/$219.99.

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 7 мм
- Вес: 38/39/40 грамм

	64GB	128GB	256GB
Тип микросхем	19nm SanDisk MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
Последов. чтение (МБ/с)	520	530	530
Последов. запись (МБ/с)	155	290	445
Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	76K	80K	82K
(МБ/с)	304	320	328
Произвол. запись 4 KB (IOPS)	29K	33K	39K
(МБ/с)	116	132	156
Ресурс записи	> 80TB
MTBF	2,0 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	2.6-2.7-2.9/0.08 Вт
Гарантия	3 года

TB (Терабайт) = 1000 гигабайт.

SanDisk Ultra Plus SSD 256GB размещает четыре 64GiB флеш-микросхемы SanDisk 05131 064G MLC NAND на двух сторонах (по 2 на каждой стороне) и один чип 128МБ Samsung DDR2-800 кеш-памяти. В каждой микросхеме находится восемь 8GiB-кристаллов. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 17,5GiB (7%) отведены в резерв. После форматирования, пользователю доступны 238GiB.

Все компоненты накопителя размещены на миниатюрной печатной плате в форм-факторе Half Slim (MO-297) 39 x 54 x 4мм (отсюда и маленький вес SSD), так как в большей нет необходимости. Плата к корпусу закреплена двумя шурупами. Длина и ширина корпуса в форм-факторе 2.5 дюйма равна 100,5 x 69,85мм.

Тестовая конфигурация SanDisk Ultra Plus SSD 240GB: ASUS Maximus V Gene Z77, Intel Core i5-2500K, Kingston HyperX 2x4GB DDR3-1600 RAM, Windows 8 Pro 64-bit.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0.2 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	256GB
Последовательное чтение:	516.8
Произвольное чтение 512KB:	301.2
Произвольное чтение 4КВ:	33.38
Произвольное чтение 4КВ QD32:	332.7

Последовательная запись:	436.3
Произвольная запись 512KB:	398.1
Произвольная запись 4КВ:	107.0
Произвольная запись 4КВ QD32:	188.0

Хотя контроллер Marvell 88SS9175-BJM2 и 4-канальный, под управлением собственной прошивки от SanDisk, показатели скорости SSD начального уровня достаточно приличные.

Источники: www.legitreviews.com; www.anandtech.com

OCZ Vector SSD

2013-01-07T00:54:00.001+02:00

27 ноября 2012 года OCZ Technology Group выпустила серию твердотельных накопителей OCZ Vector SSD SATA 3.0 6Гбит/сек, построенную на 8-ми канальном контроллере следующего поколения Indilinx Barefoot 3 IDX500M00-BC.
Контроллер Indilinx Barefoot 3, и прошивка к нему, являются первыми в истории компании, полностью разработанными OCZ.
OCZ Vector SSD доступен в США по цене 128GB/$139.99, 256GB/$239.99 и 512GB/$499.99.

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 7 мм
- Вес: 115 грамм

	128GB	256GB	512GB
Тип микросхем	25nm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	550	550	550
¹Последов. запись (МБ/с)	400	530	530
²Произвол. чтение 4KB QD32 (IOPS)	90,000	100,000	100,000
(МБ/с)	360	400	400
²Произвол. запись 4KB QD32 (IOPS)	95,000	95,000	95,000
(МБ/с)	380	380	380
MTBF	1,3 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	2.25/0.9 Вт
³Гарантия	5 лет

1. Максимальные последовательные скорости получены в ATTO.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в Crystal Disk Mark, тестовый размер файла 1000MB, QD32.
3. При 20GB записываемых данных в день в течение 5 лет.

В серии Vector замечены микросхемы OCZ. Согласно легенде, OCZ приобретает кристаллы 25nm IMFT MLC NAND флеш-памяти и самостоятельно их корпусирует под собственной маркировкой.

Внутри OCZ Vector 128GB находится шестнадцать 8GiB синхронных флеш-микросхем (по 8 на каждой стороне) и 512МБ Micron DDR3L-1600 1.35V|1.5V кеш-памяти (по 256МБ-чипу на каждой стороне). В каждой микросхеме находится один 8GiB-кристалл. Физический объём накопителя составляет 128GiB, из которых 8,75GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 119GiB.
Внутри OCZ Vector 256GB находится шестнадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем (по 8 на каждой стороне) и 512МБ Micron DDR3L-1600 1.35V|1.5V кеш-памяти (по 256МБ-чипу на каждой стороне). В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 17,5GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 238GiB.
Внутри OCZ Vector 512GB находится шестнадцать 32GiB синхронных флеш-микросхем (по 8 на каждой стороне) и 1ГБ Micron DDR3-1333 1.5V кеш-памяти (по 512МБ-чипу на каждой стороне). В каждой микросхеме находится по четыре 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 512GiB, из которых 35GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 476GiB.

Тестовая конфигурация OCZ Vector 128GB/256GB/512GB SSD: MSI Z77A-GD80, Intel Core i7-3770K, Corsair Vengeance 32GB DDR3-1866 RAM, Windows 7 x64.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	128GB	256GB	512GB
Последовательное чтение:	543.3	537.0	526.9
Произвольное чтение 512KB:	450.9	435.3	443.5
Произвольное чтение 4КВ:	31.12	31.15	35.17
Произвольное чтение 4КВ QD32:	366.5	398.5	402.7

Последовательная запись:	380.1	523.8	523.6
Произвольная запись 512KB:	379.0	520.3	519.8
Произвольная запись 4КВ:	156.4	163.9	158.0
Произвольная запись 4КВ QD32:	373.4	373.5	376.1

Источники: www.tweaktown.com (1), (2), (3)

Intel SSD 335 Series

2012-10-29T23:59:00.000+02:00

29 октября 2012 года Intel выпустила серию твердотельных накопителей Intel SSD 335 Series, основанную на контроллере SandForce SF-2281 SATA 3.0 6Гбит/с. Intel SSD 335 является первым накопителем Intel, в котором используется 20-нанометровая 64Гбит MLC NAND флеш-память, совместно разработанная IMFT (Intel-Micron).
Обновлено 12.05.2013:
Первоначальное предложение Intel SSD 335 состояло из ёмкости 240GB. Intel расширила модельный ряд ёмкостью 180GB в январе 2013 и ёмкостью 80GB в марте 2013.
Intel SSD 335 доступен в США по цене:

80GB	180GB	240GB
$104.99	$174.99	$219.99

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 9.5 мм
- Вес: Не более 78 грамм

	80GB	180GB	240GB
Тип микросхем	Intel 20nm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	500	500	500
¹Последов. запись (МБ/с)	400	450	450
²Произвол. чтение 4 KB QD32 (IOPS)	15,000	42,000	42,000
(МБ/с)	60	168	168
²Произвол. запись 4 KB QD32 (IOPS)	25,000	52,000	52,000
(МБ/с)	100	208	208
MTBF	≥ 1,2 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	350/275 мВт
³Гарантия	3 года

1. Последовательные скорости получены в Iometer, 128KB, QD32.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в Iometer, QD32, на промежутке пространства 8GB при заполненном SSD.
3. Минимальный срок эксплуатации SSD составит 3 года при типичной рабочей нагрузке, равной до 20GB записываемых данных в день.

Внутри Intel SSD 335 Series 180GB находится двенадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем Intel 29F16B08CCMF2 MLC NAND на двух сторонах. В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 192GiB, из которых 24GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 168GiB. Версия прошивки - 335t.
Внутри Intel SSD 335 Series 240GB находится шестнадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем Intel 29F16B08CCMF2 MLC NAND на двух сторонах. В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 32GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 224GiB. Версия прошивки - 335s.

Тестовая конфигурация:
1) 335 180GB: MSI Z77A-GD80, Intel Core i7-3770K, Corsair Vengeance 32GB DDR3-1866 RAM, Windows 7 x64.
2) 335 240GB: ASUS P8Z77-V Premium, Intel Core i7-3770K, Crucial Ballistix Sport 4x8GB DDR3-1600 RAM, Windows 7.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	180GB	240GB
Последовательное чтение:	464.1	479.9
Произвольное чтение 512KB:	395.3	399.1
Произвольное чтение 4КВ:	25.29	27.73
Произвольное чтение 4КВ QD32:	212.3	228.3

Последовательная запись:	271.1	336.9
Произвольная запись 512KB:	264.9	311.5
Произвольная запись 4КВ:	136.5	97.04
Произвольная запись 4КВ QD32:	257.0	275.7

Источники: thessdreview.com; www.tweaktown.com

Samsung SSD 840

2012-10-26T18:40:00.000+03:00

24 сентября 2012 года Samsung Electronics Co., Ltd. представила серию твердотельных накопителей Samsung SSD 840 SATA 3.0 6Гбит/сек, в начальном 840 и продвинутом 840 Pro вариантах. Серия 840 полностью состоит из компонентов собственного производства: новый 8-ми канальный контроллер Samsung S4LN021X01-8030, основанный на 3-х ядерном процессоре ARM Cortex-R4 с рабочей частотой 300МГц; 21nm Samsung Toggle DDR 2.0 NAND флеш-память.
В 840 впервые используется TLC NAND флеш-память. TLC флеш-память обладает ресурсом 1000 циклов записи; задержки чтения, программирования страниц, и стирания блоков в ~2 большие, чем у MLC. Ячейки TLC NAND флеш-памяти хранят 3 бита информации. При одинаковой ёмкости 64Gbit (8GiB), размер TLC-кристалла меньше на 20%, чем у MLC, снижая стоимость производства отдельного кристалла. Samsung компенсирует низшую износостойкость TLC флеш-памяти большим зарезервированным пространством для замены изношенных блоков.
В 840 Pro используется MLC NAND флеш-память.
Стоимость в США:

Samsung SSD 840	120GB	250GB	500GB
Samsung SSD 840	$109.99	$199.99	$449.99
Samsung SSD 840 Pro	128GB	256GB	512GB
Samsung SSD 840 Pro	$149.99	$269.99	$599.99

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 7 мм
- 256-битное AES-шифрование данных

	120GB\|128GB	250GB\|256GB	500GB\|512GB
Тип микросхем	21nm Samsung Toggle DDR 2.0 NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
Последов. чтение (МБ/с)	530\|530	530\|540	530\|540
Последов. запись (МБ/с)	130\|390	240\|520	330\|520
Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	85K\|97K	95K\|100K	97K\|100K
(МБ/с)	340\|388	380\|400	388\|400
Произвол. запись 4 KB (IOPS)	32K\|90K	44K\|90K	63K\|90K
(МБ/с)	128\|360	176\|360	252\|360
Потр. напряжение	5В ± 5%
Потр. мощность, макс./мин.	0.15 Ватт
Гарантия	3 года\|5 лет

Конфигурация компонентов SSD:

	Samsung SSD 840			Samsung SSD 840 Pro
	120GB	250GB	500GB	128GB	256GB	512GB
Микросхем на плате	4 × 32GiB	8 × 32GiB	8 × 64GiB	4 × 32GiB	8 × 32GiB	8 × 64GiB
Кристаллов в микросхеме	4 × 8GiB	4 × 8GiB	8 × 8GiB	4 × 8GiB	4 × 8GiB	8 × 8GiB
Физический объём накопителя	128GiB	256GiB	512GiB	128GiB	256GiB	512GiB
Отведены в резерв	16GiB (12,5%)	23GiB (9%)	46GiB (9%)	8,75GiB (7%)	17,5GiB (7%)	35GiB (7%)
DRAM кеш-памяти	1 × 256MB	1 × 512MB	1 × 512MB	1 × 256MB	1 × 512MB	1 × 512MB
Форматированная ёмкость	112GiB	233GiB	466GiB	119GiB	238GiB	477GiB

	Микросхемы		DRAM кеш-память
	Тип	Маркировка	Тип	Маркировка
Samsung SSD 840
120GB	TLC	K9CFGY8U5A-CCK0	LPDDR2-1066	K4P2G324ED-FGC2
250GB		K9CFGY8U5A-CCK0		K4P4G324EB-FGC2
500GB		K9OHGY8U7A-CCK0		K4P4G324EB-FGC2
Samsung SSD 840 Pro
128GB	MLC	K9HFGY8U5A-CCK0	LPDDR2-1066	K4P2G324ED-FGC2
256GB		K9HFGY8U5A-CCK0		K4P4G324EB-FGC2
512GB		K9PHGY8U7A-CCK0		K4P4G324EB-FGC2

Контроллер, микросхемы и кеш-память всех моделей расположены только на одной стороне печатной платы, при этом другая сторона абсолютно гладкая, без единой детали.

Тестовая конфигурация:
1) 840 250GB, 840 Pro 512GB: ASUS P8Z77-V Premium, Intel Core i7-3770K, Crucial Ballistix Sport 4x8GB DDR3-1600 RAM, Windows 7.
2) 840 Pro 128GB, 840 Pro 256GB, 840 500GB: MSI Z77A-GD80, Intel Core i7-3770K, Corsair Vengeance 32GB DDR3-1866 RAM, Windows 7 x64.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0.1 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	120GB\|128GB	250GB\|256GB	500GB\|512GB
Последовательное чтение:	540.6\|525.7	523.6\|543.4	523.2\|526.5
Произвольное чтение 512KB:	469.2\|446.5	440.2\|499.4	463.1\|461.4
Произвольное чтение 4КВ:	32.43\|40.58	29.90\|40.95	33.03\|37.25
Произвольное чтение 4КВ QD32:	351.4\|383.7	376.3\|400.6	380.9\|402.8

Последовательная запись:	134.5\|382.0	252.9\|524.6	333.6\|505.1
Произвольная запись 512KB:	133.8\|381.0	248.7\|474.1	330.1\|480.3
Произвольная запись 4КВ:	122.8\|134.6	93.34\|134.2	127.9\|92.37
Произвольная запись 4КВ QD32:	133.0\|366.2	244.1\|358.6	279.1\|363.0

Источники:

SSD 840	120GB	250GB	500GB
SSD 840 Pro	128GB	256GB	512GB

Corsair Neutron Series SSD

2012-08-25T00:06:00.000+03:00

5 июня 2012 года Corsair представила серию твердотельных накопителей Neutron Series, первую в индустрии потребительских SSD, построенную на 8-ми канальном контроллере LM87800 "Amber" SATA 6Гбит/сек от Link_A_Media Devices (LAMD). Накопители доступны в моделях Neutron 120GB/240GB с синхронной флеш-памятью и Neutron GTX 120GB/240GB/480GB с флеш-памятью Toggle DDR.
Corsair Neutron|GTX SSD продаётся в США по цене 120GB|GTX / $129.99|$144.99, 240GB|GTX / $199.99|$249.99, 480GB GTX/$469.99.

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 7 мм

	120GB\|GTX	240GB\|GTX	480GB GTX
Тип микросхем	25nm Micron \| 24nm Toshiba
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	555\|555	555\|555	555
¹Последов. запись (МБ/с)	211\|330	370\|511	511
Произвол. чтение 4 KB	-
²Произвол. запись 4 KB (IOPS)	85K\|80K	85K\|85K	85K
(МБ/с)	340\|320	340\|340	340
Объём DDR кеш-памяти	128МБ	128МБ	256МБ
MTBF	2 млн. часов
Потр. напряжение	5В ± 5%
Потр. мощность, макс./мин.	4.6/0.6 Ватт
Гарантия	5 лет

1. Максимальные последовательные скорости получены в ATTO.
2. Максимальная скорость записи файлов размером 4KB получена в IOMeter 08.

Corsair Neutron 240GB SSD размещает шестнадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем 25nm Micron 29F128G08CFAAB WP -12 A MLC NAND и два чипа Samsung 128МБ DDR2-800 кеш-памяти на двух сторонах. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 32GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 223GiB.
Corsair Neutron GTX 240GB SSD размещает восемь 32GiB флеш-микросхем 24nm Toshiba TH58TEG8D2HBA8C Toggle DDR 1.0 MLC NAND и два чипа Samsung 128МБ DDR2-800 кеш-памяти на двух сторонах. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 32GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 223GiB.
Corsair Neutron GTX 480GB SSD размещает восемь 64GiB флеш-микросхем 24nm Toshiba TH58TEG9D2HBA89 Toggle DDR 1.0 MLC NAND и два чипа Micron 256МБ DDR2-800 кеш-памяти на двух сторонах. Физический объём накопителя составляет 512GiB, из которых 64GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 447GiB.

Тестовая конфигурация Corsair Neutron|GTX 240GB: Gigabyte GA-Z77X-UD5, Intel Core i7-2500K, Corsair Vengeance 16GB DDR3-1866 RAM, Windows 7 Ultimate 64-bit.
Тестовая конфигурация Corsair Neutron GTX 480GB: MSI Z77A-GD80, Intel Core i7-3770K, Corsair Vengeance 32GB DDR3-1866 RAM, Windows 7 x64.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	240GB\|GTX	480GB GTX
Последовательное чтение:	471.6\|453.7	451.8
Произвольное чтение 512KB:	417.1\|391.6	391.8
Произвольное чтение 4КВ:	31.00\|31.93	32.6
Произвольное чтение 4КВ QD32:	360.1\|361.5	369.6

Последовательная запись:	372.7\|493.2	494.3
Произвольная запись 512KB:	371.6\|489.8	491.2
Произвольная запись 4КВ:	120.0\|120.4	128.4
Произвольная запись 4КВ QD32:	349.7\|357.8	357.7

Источники: www.tweaktown.com (1), (2); www.anandtech.com

Plextor SSD M5 Series

2012-08-16T01:09:00.002+03:00

16 июля 2012 года компания Plextor выпустила твердотельный накопитель Plextor M5S, задействующий контроллер Marvell 88SS9174 SATA 3.0 6Гбит/сек 2-го поколения и синхронную флеш-память 25nm Micron MLC NAND.
7 августа 2012 года был представлен Plextor M5 Pro (M5P) - высокопроизводительный, профессионального класса накопитель, спроектированный на контроллере Marvell 88SS9187 "Monet" SATA 3.1 6Гбит/сек 3-го поколения и японской флеш-памяти наилучшего качества 19nm Toshiba Toggle DDR 2.0 MLC NAND. С M5 Pro, Plextor сосредоточилась на разработке и предоставлении одного из наиболее надёжных накопителей на рынке. Для этой цели, были проведены всесторонние испытания перед производством на наиболее совершенном испытательном оборудовании для SSD - испытательной камере FLEXSTAR. Только после того, как дизайн выдержал строгий промышленный стандарт Zero Error, в котором 400 накопителей прошли 500-часовые жёсткие непрерывные испытания без единой ошибки или отказа, накопитель был одобрен к производству. Чтобы обеспечить стабильность и надёжность каждого накопителя, все накопители подвергаются высокотемпературным отбраковочным испытаниям и ускоренной симуляции рабочей нагрузки. В результате, M5 Pro подходит для использования в нагруженных рабочих станциях, серверах, RAID 0 конфигурациях и обладает впечатляющим временем наработки на отказ 2,4 млн часов.
Plextor M5S|M5P SSD доступен в США по цене 64GB/$64.99, 128GB|Pro / $99.99|$129.99, 256GB|Pro / $199.99|$249.99 и 512GB Pro/$449.99.

Технические характеристики:
- M5S
Толщина корпуса: 9.5 мм; Вес: 75 г
- M5P
Толщина корпуса: 7 мм; Вес: 70 г

	64GB	128GB\|Pro	256GB\|Pro	512GB Pro
Тип микросхем	25nm Micron \| 19nm Toshiba
Форм-фактор	2.5 дюйма
Последов. чтение (МБ/с)	520	520\|540	520\|540	540
Последов. запись (МБ/с)	90	200\|340	390\|450	450
Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	61K	71K\|91K	73K\|94K	94K
(МБ/с)	244	284\|364	292\|376	376
Произвол. запись 4 KB (IOPS)	25K	51K\|82K	70K\|86K	86K
(МБ/с)	100	204\|328	280\|344	344
Объём DDR3 кеш-памяти	128МБ	256МБ	512МБ	768МБ
MTBF	1,5\|2,4 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	2.8/0.7 \| 0.25 Ватт
Гарантия	3 года\|5 лет

Внутри Plextor M5S SSD 256GB находится контроллер Marvell 88SS9174-BLD2, шестнадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем 25nm Micron 29F128G08CFAAB WP -12 A MLC NAND и два чипа Nanya 256МБ DDR3-1333 кеш-памяти. В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 256GB, из которых 17,5GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 238GiB.
Внутри Plextor M5P SSD 256GB находится контроллер Marvell 88SS9187-BLD2 на одной стороне, восемь 32GiB флеш-микросхем 19nm Toshiba TH58TEG8D2JBA8C Toggle DDR 2.0 MLC NAND и два чипа Nanya 256МБ DDR3-1333 кеш-памяти на другой стороне. В каждой микросхеме находится по четыре 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 17,5GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 238GiB.

Тестовая конфигурация Plextor M5S|M5P SSD 256GB: Gigabyte GA-Z77X-UD5, Intel Core i7-2500K, Corsair Vengeance 16GB DDR3-1866 RAM, Windows 7 Ultimate 64-bit.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	256GB\|Pro
Последовательное чтение:	496.3\|527.0
Произвольное чтение 512KB:	362.2\|421.1
Произвольное чтение 4КВ:	30.25\|36.95
Произвольное чтение 4КВ QD32:	301.8\|376.9

Последовательная запись:	403.0\|459.1
Произвольная запись 512KB:	387.1\|442.1
Произвольная запись 4КВ:	75.93\|103.6
Произвольная запись 4КВ QD32:	282.2\|348.9

Plextor M5S 256GB заметно превосходит предшественника M3S 256GB только в скорости последовательной записи; в остальных показателях M3S лидирует.
Plextor M5P 256GB превосходит предшественника M3P 256GB наиболее в скорости произвольного чтения/записи 4КВ QD32; остальные показатели существенно не отличаются, несмотря на новый контроллер и Toggle DDR 2.0 флеш-память.

Источники:
1) www.tweaktown.com/M5S 256GB
2) www.tweaktown.com/M5P 256GB

Будущие технологии энергонезависимой памяти: PCM, 3D NAND, ReRAM

2012-07-28T00:26:00.006+03:00

1Гбит 45нм PCM кристалл

Системные инженеры продолжают сталкиваться со значительными трудностями при проектировании надёжных систем хранения данных, основывающихся на флеш-памяти. С каждым следующим поколением, характеристики существующих технологий памяти ухудшаются, требуя значительных изменений системного уровня для сохранения надёжности и производительности системы. NOR и NAND флеш-память основываются на ячейках памяти, которых становится всё сложнее уменьшать (масштабировать). PCM (Phase Change Memory) является многообещающей технологией энергонезависимой памяти следующего поколения, сочетающая свойства NOR, NAND и DRAM, и которую возможно масштабировать до геометрий, меньших 10нм.

Свойства	PCM	NOR	NAND	DRAM
Энергонезависимость	Да	Да	Да	Нет
Масштабируемость	<10нм	~3x нм	~1x нм	~2x нм
Побитовое программирование	Да	Нет	Нет	Да
Необходимо стирание	Нет	Да	Да	Нет
Прошивка	Простая	Умеренная	Сложная	Простая
Скорость записи/кристалл	1–100 МБ/с	~1 МБ/с	10–100 МБ/с	~ГБ/с
Задержка записи	~1мкс	–	~100–800мкс	~20–50нс
Задержка чтения	50–100нс	70–100нс	10–50мкс	50нс
Износоустойчивость	10^6–8	10⁵	10^4–5	Неогранич.
Сравнительная таблица технологий памяти

(1сек=1000мс; 1мс=1000мкс; 1мкс=1000нс; 1нс=1000пс)

Существующая память, как например NOR, NAND и RAM, основывается на хранении электрического заряда (электронов) в качестве механизма памяти. С уменьшением размеров, количество хранимых электронов уменьшается до предела, когда надёжность снижается и дальнейшее масштабирование становится сложным. Такое явление требует внедрения всё более сложных решений, при этом со снижающейся эффективностью. PCM не использует электроны, но взамен использует изменение физического состояния халькогенидного материала как механизм памяти. Халькогенидный сплав уже показал стабильность своих характеристик при тех. процессе 5нм. Масштабируемость является одной из главных мотиваций, способствующих исследованию и разработке PCM.

Как и RAM, PCM программируется побитно. В отличии от RAM и PCM, флеш-память требует отдельного шага стирания большого блока данных при изменении маленького объёма информации. Возможность побитного программирования и отсутствие необходимости стирания намного упрощает программное управление памятью. В некоторых рабочих сценариях, PCM можно использовать взамен RAM.

PCM может достигать скорости записи, сравнимой с NAND, но со в 100 раз низшей начальной задержкой (временем записи первого байта) и без необходимости отдельного (и медленного) шага стирания. Отсутствие медленного шага стирания перед записью и низкая задержка может значительно улучшить общую эффективную скорость записи.

Как и RAM и NOR флеш-память, PCM-технология обладает быстрым временем произвольного чтения, что позволяет исполнять программный код непосредственно из памяти без промежуточного копирования в RAM. В противопоставлении, NAND флеш-память обладает длительным временем произвольного доступа, в несколько десятков микросекунд, что не позволяет её использовать для непосредственного исполнения кода.

PCM может использоваться в SSD, для хранения страниц, к которым выполняется частый доступ; таблиц дефектных блоков; и таблиц сопоставления страниц с секторами. В таком гибридном SSD небольшое количество PCM может быть использовано для улучшения администрирования NAND. Такое кэширование посредством PCM улучшит производительность и надёжность устройства. Однако PCM не рассматривают в качестве непосредственного конкурента NAND по стоимости. Если в будущем станет возможна PCMS технология, которая накладывает несколько слоёв ячеек памяти один поверх другого, тогда PCMS обеспечит стоимость ниже NAND.

Пока альтернативные технологии не уравняются или обойдут NAND-память по производственным затратам, они вряд ли найдут своё применение в корпоративном, и впоследствии, потребительском, сегменте запоминающих устройств, несмотря на все технологические преимущества таких технологий.

Изображение поверхности кремния, полученное сканирующим туннельным микроскопом. 10 нанометров составляют ~20 атомов в ширину

NAND флеш-память исчерпает потенциал масштабирования по достижению тех. процесса 8/10нм. Такой предел обусловлен атомными размерами материалов, из которых состоят ячейки памяти. Тем не менее, производители начнут создавать многочисленные слои (этажи) ячеек памяти в вертикальной плоскости – технология 3D NAND. Таким образом, можно будет увеличивать ёмкость памяти без уменьшения размеров кристалла. 3D NAND будет насчитывать 16-64 стыкованных слоёв, что позволит получить стоимость ниже нынешней NAND флеш-памяти. Toshiba предоставит опытные образцы 128Гбит-256Гбит 3D NAND в 2013 году, инженерные образцы в 2014 году, и планирует начать массовое производство кристаллов ёмкостью 512Гбит в 2015 году, позже 1Тбит или выше. В сущности, NAND флеш-память останется основной технологией энергонезависимой памяти, как минимум, ещё пять лет.

Среди числа развивающихся технологий энергонезависимой памяти, ReRAM (resistive RAM) считают весомой альтернативой NAND-памяти после 1X нм. ReRAM обладает скоростью DRAM и превосходит флеш-память в показателях износостойкости. Ячейки памяти ReRAM состоят из мемристоров (запоминающих резисторов). Производители Micron, Samsung, Toshiba, Panasonic, и Hewlett-Packard совместно с Hynix, ведут работы над ReRAM. К примеру, Toshiba продемонстрировала опытный 3D ReRAM кристалл ёмкостью 64Гбит. Компания планирует начать поставки образцов и массовое производство приблизительно в те же сроки, что и 3D NAND, с ёмкостью кристаллов несколько меньше или эквивалентной 3D NAND.

17 июля 2012 года, компания Micron объявила о массовом производстве многокристальных микросхем, содержащих 45нм 1-гигабитный PCM кристалл в сочетании с 512-мегабитным LPDDR2 кристаллом в одном корпусе. На данный момент, 45нм PCM решение Micron предназначено для мобильных телефонов, с планами на будущее предоставить решения для смартфонов и планшетов.

Какая-либо ближайшая технология, как минимум, в пять раз дороже NAND. Не следует ожидать, что новые поколения SSD будут полностью состоять из PCM либо ReRAM микросхем. Более вероятно, мы увидим гибридные SSD, которые будут совмещать NAND флеш-память и PCM/ReRAM в качестве кеш-памяти, и судя по всему, не ранее 2015 года. В сравнении с существующими SSD, состоящими полностью из NAND флеш-памяти, гибридные SSD могут показать скорость записи в 11 раз выше, на 93% низшее потребление энергии и в 6,9 раз большую продолжительность эксплуатации.

Источники:
1) searchsolidstatestorage.techtarget.com
2) www.micron.com/.../5539evolution_of_phase_change_memory.pdf
3) www.micron.com/.../6797pcm_enables_new_memory_usage_models.pdf
4) www.micronblogs.com/2011/09/pcm-real-world-demo/
5) investors.micron.com
6) techon.nikkeibp.co.jp (1), (2)

SandForce представила SSD с флеш-памятью 19nm Toshiba и 20nm IMFT

2012-06-12T18:57:00.005+03:00

На компьютерной выставке Computex Taipei 2012, проходившей в Тайване 5-9 июня, компания LSI продемонстрировала работоспособность контроллеров SandForce SF-2281 с флеш-памятью 19nm Toshiba Toggle DDR MLC NAND и 20nm IMFT (Intel-Micron) MLC NAND ONFi 2.
LSI сотрудничает в шестью основными производителями NAND флеш-памяти, что позволяет компании оптимизировать совместимость контроллеров SandForce с постоянно уменьшающимися геометриями кристаллов.
Уменьшение геометрии негативно влияет на производительность и износостойкость флеш-памяти, тем не менее, поколение 20-нанометровой флеш-памяти IMFT обладает таким же ресурсом 3000-5000 циклов записи как и 25-нанометровая флеш-память IMFT. Как преимущество для конечного пользователя, переход на новый технологический процесс должен сопутствовать дальнейшему снижению цен на твердотельные накопители.
Тестовая конфигурация SandForce состояла из процессора Intel Core i5-2500K и материнской платы с чипсетом Intel P67. Были показаны три демонстрационных SSD с флеш-памятью Intel 29F64G08ACMF3 (F: 20nm) (синхронная), Micron MT29F64G08CBABA (асинхронная) и Toshiba TH58TEG8D2JBA8C (J: 19nm). Веб-сайт TweakTown сумел протестировать накопители 120GB 20nm IMFT и 240GB 19nm Toshiba, показавшие такие результаты:

CrystalDiskMark 3.0 Technical Preview. Тестовый размер файла - 100 MB. Мегабайт/сек.

	120GB 20nm IMFT	240GB 19nm Toshiba
Последовательное чтение:	205.8	480.9
Произвольное чтение 512KB:	193.3	429.8
Произвольное чтение 4КВ:	25.67	36.63
Произвольное чтение 4КВ QD4:	53.90	95.35
Произвольное чтение 4КВ QD32:	143.8	307.3

Последовательная запись:	124.3	294.5
Произвольная запись 512KB:	124.4	289.7
Произвольная запись 4КВ:	95.66	107.7
Произвольная запись 4КВ QD4:	124.0	228.7
Произвольная запись 4КВ QD32:	124.7	262.6

TweakTown не указал с какой 20nm IMFT флеш-памятью тестировался SSD, но исходя из результатов можно сделать выводы:
1) Показатели скорости характерны для асинхронной флеш-памяти,
2) В сравнении с SandForce-накопителями на 25-нанометровой асинхронной флеш-памяти (напр. Kingston SSDNow V+200 120GB, Patriot Pyro 120GB), 20-нанометровая асинхронная флеш-память IMFT несколько убавила в скорости. Последовательная запись, произвольная запись 512KB и 4КВ QD32 снизилась на ~24МБ/сек; произвольная запись 4КВ и скорости чтения не изменились,
3) В сравнении с SandForce-накопителями на 32-нанометровой Toggle DDR 1.0 флеш-памяти Toshiba (напр. Mushkin Chronos deluxe 240GB, Patriot WildFire 240GB), 19-нанометровая Toggle DDR флеш-память Toshiba скорость не потеряла.

Источники: www.anandtech.com; www.tweaktown.com (1), (2)

OCZ внедряет Agility 4 SSD

2012-06-04T20:52:00.014+03:00

29 мая 2012 года OCZ Technology Group выпустила серию бюджетных твердотельных накопителей OCZ Agility 4 SSD SATA 3.0 6Гбит/сек, построенную на 8-ми канальном контроллере Indilinx Everest 2 IDX400M00-BC и асинхронной флеш-памяти.
Контроллер Indilinx Everest 2 (также и Indilinx Everest 1) фактически является контроллером Marvell, только с повышенной рабочей частотой, и прошивкой, разработанной Indilinx. Правдивость данной информации была подтверждена OCZ.
OCZ Agility 4 доступен в США по цене 64GB/$69.99, 128GB/$99.99, 256GB/$259.99 и 512GB/$379.99.

Технические характеристики:
- Двухъядерный процессор
- До 1ГБ DRAM кеш-памяти
- Наинизшие задержки:
  Чтение: 0.04мс; Запись: 0.02мс
- Технология Ndurance™ 2.0 - Повышение ресурса NAND флеш-памяти:
  Снижение коэффициента усложнения записи без сжатия данных
  Адаптивное управление NAND флеш-памятью
- 256-битное AES-шифрование данных
- Продвинутый движок ECC, позволяющий восстановить до 78 бит для 1КБ данных

	64GB	128GB	256GB	512GB
Тип микросхем	2Xnm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	300	400	400	400
¹Последов. запись (МБ/с)	200	300	400	400
²Произвол. чтение 4KB QD32 (IOPS)	46,000	58,000	48,000	48,000
(МБ/с)	184	232	192	192
²Произвол. запись 4KB QD32 (IOPS)	47,000	72,000	85,000	85,000
(МБ/с)	188	288	340	340
MTBF	2 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	2.5/1.3 Вт
Гарантия	3 года

1. Максимальные последовательные скорости получены в ATTO.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в IOMeter 2010 (1.1.0 rc1).

Обновлено 03.08.2012:
Внутри OCZ Agility 4 256GB SSD находится шестнадцать 16GiB асинхронных флеш-микросхем 25nm Micron 29F128G08CFAAA MLC NAND (по восемь на каждой стороне) и два чипа Hynix DDR3 256MB DRAM кеш-памяти. В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 17,5GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 238GiB.

Тестовая конфигурация OCZ Agility 4 256GB SSD: ASUS P8Z77-V Premium, Intel Core i7-3770K, Crucial Ballistix Sport 4x8GB DDR3-1600 RAM, Windows 7.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0.1 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	256GB
Последовательное чтение:	256.2
Произвольное чтение 512KB:	215.3
Произвольное чтение 4КВ:	21.09
Произвольное чтение 4КВ QD32:	262.3

Последовательная запись:	406.5
Произвольная запись 512KB:	409.0
Произвольная запись 4КВ:	101.9
Произвольная запись 4КВ QD32:	320.8

AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.

	256GB
Последовательное чтение:	244.76
Произвольное чтение 4КВ:	19.24
Произвольное чтение 4КВ QD64:	248.50

Последовательная запись:	385.96
Произвольная запись 4КВ:	88.84
Произвольная запись 4КВ QD64:	278.70

Источники: www.anandtech.com; thessdreview.com

Kingston SSDNow V+200 SSD

2012-05-17T16:43:00.001+03:00

23 января 2012 года компания Kingston Digital, Inc выпустила твердотельный накопитель SSDNow V+200, оснащённый контроллером SandForce SF-2281 SATA 3.0 6Гбит/с, специально разработанный как для корпоративных, так и для домашних пользователей, ищущих недорогой, но производительный вариант модернизации компьютера.
Kingston SSDNow V+200 доступен в США по цене 60GB/$78.24, 90GB/$117.99, 120GB/$123.74, 240GB/$256.91 и 480GB/$569.99.

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 9.5 мм
- Вес: Не более 115 грамм

	60GB	90GB	120GB	240GB	480GB
Тип микросхем	Intel 25nm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	535	535	535	535	535
²Последов. запись (МБ/с)	460	480	480	480	480
²Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	12,000	20,000	20,000	36,000	43,000
(МБ/с)	48	80	80	144	172
²Произвол. запись 4 KB (IOPS)	47,000	47,000	44,000	43,000	30,000
(МБ/с)	188	188	176	172	120
Ресурс записи	38.4TB	57.6TB	76.8TB	153.6TB	307.2TB
MTBF	1 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	3.23/0.565 Вт
Гарантия	3 года

TB (Терабайт) = 1000 гигабайт.
1. Последовательные скорости получены в ATTO 2.41.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в IOMeter 2008.
Результаты, приведённые выше, были получены самой Kingston на такой тестовой конфигурации: ASRock P67, Intel Core i7 2600k 3.4GHz, 8GB RAM, NVIDIA GTX 460.

Kingston SSDNow V+200 90GB размещает двенадцать 8GiB асинхронных флеш-микросхем 25nm Intel 29F64G08ACME3 MLC NAND (по шесть на каждой стороне). Физический объём накопителя составляет 96GiB, из которых 12GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 84GiB.
Kingston SSDNow V+200 120GB размещает шестнадцать 8GiB асинхронных флеш-микросхем 25nm Intel 29F64G08ACME3 MLC NAND (по восемь на каждой стороне). Физический объём накопителя составляет 128GiB, из которых 16GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 111GiB.

Тестовая конфигурация Kingston SSDNow V+200 90GB: Asus P8P67 Deluxe, Intel Core i7-2700K, ADATA DDR3 2000 RAM, Windows 7 Enterprise 64-bit.
Тестовая конфигурация Kingston SSDNow V+200 120GB: ASRock Z68 Extreme7 Gen3 LGA 1155, Intel Core i7-2600K, Crucial Ballistix 3x4GB DDR3 2000 RAM, Windows 7.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0.1 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	90GB	120GB
Последовательное чтение:	211.0	209.7
Произвольное чтение 512KB:	200.3	196.9
Произвольное чтение 4КВ:	22.48	29.24
Произвольное чтение 4КВ QD32:	89.21	95.98

Последовательная запись:	118.0	144.7
Произвольная запись 512KB:	118.2	145.5
Произвольная запись 4КВ:	108.3	87.99
Произвольная запись 4КВ QD32:	116.0	142.1

AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.

	90GB	120GB
Последовательное чтение:	201.05	205.32
Произвольное чтение 4КВ:	18.84	12.62
Произвольное чтение 4КВ QD64:	92.33	85.00

Последовательная запись:	113.31	137.70
Произвольная запись 4КВ:	70.28	69.10
Произвольная запись 4КВ QD64:	109.43	131.77

Источники: www.kitguru.net; thessdreview.com

Kingston HyperX 3K SSD

2012-05-07T20:49:00.002+03:00

10 апреля 2012 года компания Kingston Digital, Inc - отделение Kingston Technology Company, Inc по производству устройств на основе флеш-памяти - заявила о выпуске высокопроизводительного твердотельного накопителя HyperX 3K с более низкой стоимостью. В Kingston HyperX 3K SSD используется контроллер SandForce SF-2281 SATA 3.0 6Гбит/с и синхронная флеш-память с ресурсом 3000 (3K) циклов записи/стирания.
HyperX 3K SSD доступен в США по цене 90GB/$109.99, 120GB/$139.99, 240GB/$279.99 и 480GB/$579.99.

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 9.5 мм
- Вес: Не более 97 грамм

	90GB	120GB	240GB	480GB
Тип микросхем	Intel 25nm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	555	555	555	540
¹Последов. запись (МБ/с)	510	510	510	450
²Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	20K	20K	40K	60K
(МБ/с)	80	80	160	240
²Произвол. запись 4 KB (IOPS)	50K	60K	57K	45K
(МБ/с)	200	240	228	180
³Ресурс записи	57.6TB	76.8TB	153.6TB	307.2TB
MTBF	1 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	2.11/0.455 Ватт
Гарантия	3 года

TB (Терабайт) = 1000 гигабайт.
1. Последовательные скорости получены в ATTO 2.41.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в IOMeter 2008.
3. Модели 90GB/120GB/240GB/480GB: исходя из объёма 52GB/70GB/140GB/280GB записываемых данных в день на протяжении 3 лет.
Результаты, приведённые выше, были получены самой Kingston на такой тестовой конфигурации: ASRock P67, Intel Core i7 2600k 3.4GHz, 8GB RAM, NVIDIA GTX 460.

Kingston HyperX 3K 120GB SSD размещает шестнадцать 8GiB синхронных флеш-микросхем 25nm Intel 29F64G08ACME3 MLC NAND на двух сторонах. Физический объём накопителя составляет 128GiB, из которых 16GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 111GiB.
Kingston HyperX 3K 240GB SSD размещает шестнадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем 25nm Intel 29F16B08CCME3 MLC NAND на двух сторонах. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 32GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 223GiB.

Тестовая конфигурация Kingston HyperX 3K 120GB SSD: Asus P8P67 Deluxe, Intel Core i7-2700K, ADATA DDR3 2000 RAM, Windows 7 Enterprise 64-bit.
Тестовая конфигурация Kingston HyperX 3K 240GB SSD: ASUS Maximus IV Gene-Z Z68 1155, Intel Core i5-2500K, G.Skill 2x4GB DDR3 1866 RAM, Windows 7.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0.1 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	120GB	240GB
Последовательное чтение:	470.9	491.1
Произвольное чтение 512KB:	398.9	423.6
Произвольное чтение 4КВ:	25.91	35.34
Произвольное чтение 4КВ QD32:	115.5	214.4

Последовательная запись:	174.2	328.3
Произвольная запись 512KB:	173.6	322.6
Произвольная запись 4КВ:	95.66	94.93
Произвольная запись 4КВ QD32:	170.5	268.0

AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.

	120GB	240GB
Последовательное чтение:	452.93	504.79
Произвольное чтение 4КВ:	20.92	21.86
Произвольное чтение 4КВ QD64:	107.78	215.10

Последовательная запись:	166.55	314.43
Произвольная запись 4КВ:	90.95	75.06
Произвольная запись 4КВ QD64:	159.35	239.61

Источники: www.kitguru.net; thessdreview.com

Intel SSD 330 Series

2012-04-17T20:39:00.007+03:00

16 апреля 2012 года Intel выпустила серию твердотельных накопителей Intel SSD 330 Series, основанную на контроллере SandForce SF-2281 SATA 3.0 6Гбит/с. Серия Intel SSD 330 является сочетанием скорости, качества и надёжности, которым можно доверять, по более доступной цене.
Intel SSD 330 выпускается в трёх ёмкостях, и уже доступен в мировой рознице с рекомендуемой ценой 60GB/$89, 120GB/$149 и 180GB/$234.

Технические характеристики:
- Толщина корпуса: 9.5 мм
- Вес: Не более 80 грамм

	60GB	120GB	180GB
Тип микросхем	Intel 25nm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	500	500	500
¹Последов. запись (МБ/с)	400	450	450
²Произвол. чтение 4 KB QD32 (IOPS)	12,000	22,500	42,000
(МБ/с)	48	90	168
²Произвол. запись 4 KB QD32 (IOPS)	20,500	33,000	52,000
(МБ/с)	82	132	208
MTBF	1,2 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	850/600 мВт
³Гарантия	3 года

1. Последовательные скорости получены в Iometer, QD32.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в Iometer, QD32, на промежутке пространства 8GB при заполненном SSD.
3. Минимальный срок эксплуатации SSD составит 3 года при типичной рабочей нагрузке, равной до 20GB записываемых данных в день.

Обновлено 27.04.2012:
Внутри Intel SSD 330 Series 120GB находится восемь 16GiB синхронных флеш-микросхем Intel 29F16B08CCME2 MLC NAND на одной стороне. В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 128GiB, из которых 16GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 111GiB.
Дизайн печатной платы Intel SSD 330 полностью совпадает с платой Intel SSD 520. Более того, маркировка микросхем 330-й серии совпадает с маркировкой микросхем 520-й серии. Отличием является ресурс 3,000 циклов записи флеш-микросхем 330-й серии, тогда как ресурс флеш-микросхем 520-й серии составляет 5,000 циклов записи. Второе отличие - в версии прошивки 300i для Intel SSD 330 и 400i для Intel SSD 520.

Тестовая конфигурация Intel SSD 330 120GB: ASRock Z68 Extreme7 Gen3 LGA 1155, Intel Core i7 2600K, Crucial Ballistix 3x4GB DDR3 2000 RAM, Windows 7.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	120GB
Последовательное чтение:	461.0
Произвольное чтение 512KB:	386.1
Произвольное чтение 4КВ:	29.44
Произвольное чтение 4КВ QD32:	129.6

Последовательная запись:	160.5
Произвольная запись 512KB:	159.3
Произвольная запись 4КВ:	84.10
Произвольная запись 4КВ QD32:	105.0

AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.

	120GB
Последовательное чтение:	482.93
Произвольное чтение 4КВ:	20.27
Произвольное чтение 4КВ QD64:	124.23

Последовательная запись:	151.78
Произвольная запись 4КВ:	65.04
Произвольная запись 4КВ QD64:	84.10

Источники: www.anandtech.com; thessdreview.com

OCZ внедряет Vertex 4 SSD

2012-04-04T20:15:00.018+03:00

04 апреля 2012 года OCZ Technology Group выпустила серию твердотельных накопителей OCZ Vertex 4 SSD SATA 3.0 6Гбит/сек, построенную на обновлённом 8-ми канальном контроллере Indilinx Everest 2 IDX400M00-BC.
OCZ Vertex 4 первоначально будет доступен в ёмкостях 128GB, 256GB и 512GB с рекомендуемой ценой $179, $349 и $699.

Технические характеристики:
- Двухъядерный процессор с рабочей частотой 400МГц
- До 1ГБ DRAM кеш-памяти
- Наинизшие задержки:
  Чтение: 0.04мс; Запись: 0.02мс
- Технология Ndurance™ 2.0 - Повышение ресурса NAND флеш-памяти:
  Снижение коэффициента усложнения записи без сжатия данных
  Адаптивное управление NAND флеш-памятью
- Автоматическое и 256-битное AES-шифрование данных
- Продвинутый движок BCH ECC, позволяющий восстановить до 128 бит для 1КБ данных

	64GB	128GB\|v1.4	256GB\|v1.4	512GB\|v1.4
Тип микросхем	25nm Intel MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	460	535\|550	535\|550	535\|550
¹Последов. запись (МБ/с)	220	200\|420	380\|465	475\|475
²Произвол. чтение 4KB QD32 (IOPS)	70K	90K\|90K	90K\|90K	95K\|95K
(МБ/с)	280	360\|360	360\|360	380\|380
²Произвол. запись 4KB QD32 (IOPS)	50K	85K\|85K	85K\|85K	85K\|85K
(МБ/с)	200	340\|340	340\|340	340\|340
MTBF	2 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	2.5/1.3 Вт
Гарантия	5 лет

1. Максимальные последовательные скорости получены в ATTO.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в IOMeter 2010 (1.1.0 rc1).

Внутри OCZ Vertex 4 128GB находится шестнадцать 8GiB синхронных флеш-микросхем Intel 29F64G08ACME3 MLC NAND (по 8 на каждой стороне) и 1ГБ Micron DDR3-800 кеш-памяти (по 512МБ-чипу на каждой стороне). В каждой микросхеме находится один 8GiB-кристалл. Физический объём накопителя составляет 128GiB, из которых 8,75GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 119GiB.
Внутри OCZ Vertex 4 256GB находится шестнадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем Intel 29F16B08CCME3 MLC NAND (по 8 на каждой стороне) и 1ГБ Micron DDR3-800 кеш-памяти (по 512МБ-чипу на каждой стороне). В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 17,5GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 238GiB.
Внутри OCZ Vertex 4 512GB находится шестнадцать 32GiB синхронных флеш-микросхем Intel 29F32B08JCME3 MLC NAND (по 8 на каждой стороне) и 1ГБ Micron DDR3-800 кеш-памяти (по 512МБ-чипу на каждой стороне). В каждой микросхеме находится по четыре 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 512GiB, из которых 35GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 476GiB.

Тестовая конфигурация OCZ Vertex 4 SSD 128GB/v1.4: ASUS Maximus IV Gene-Z Z68 1155, Intel Core i5-2500K, G.Skill 2x4GB DDR3 1866 RAM, Windows 7.
Тестовая конфигурация OCZ Vertex 4 SSD 256GB/512GB: ASUS P8P67 Deluxe, Intel Core i5 2500K, Crucial 2x2GB DDR3 1333 RAM, Windows 7 Pro 64-bit.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0.1 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	128GB\|v1.4	256GB	512GB
Последовательное чтение:	424.2\|513.1	439.7	447.2
Произвольное чтение 512KB:	359.9\|338.0	408.5	364.9
Произвольное чтение 4КВ:	33.62\|32.05	33.71	32.79
Произвольное чтение 4КВ QD32:	354.0\|364.6	339.4	351.8

Последовательная запись:	196.0\|385.6	367.8	458.6
Произвольная запись 512KB:	196.9\|405.4	370.3	446.4
Произвольная запись 4КВ:	151.7\|150.1	92.45	108.8
Произвольная запись 4КВ QD32:	196.4\|340.4	345.4	344.9

AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.

	128GB\|v1.4	256GB	512GB
Последовательное чтение:	448.06\|506.14	487.33	486.94
Произвольное чтение 4КВ:	30.34\|30.37	29.46	29.36
Произвольное чтение 4КВ QD64:	329.17\|341.16	323.40	332.40

Последовательная запись:	187.20\|388.47	349.06	453.26
Произвольная запись 4КВ:	122.99\|138.03	80.77	83.18
Произвольная запись 4КВ QD64:	168.58\|292.74	301.02	301.14

Обновлено 05.06.2012:
7 мая 2012 года OCZ выпустила новую версию прошивки для Vertex 4, а также расширила модельный ряд ёмкостью 64GB. Новая прошивка v1.4 увеличила вдвое скорость последовательной записи модели 128GB, и значительный прирост последовательной записи получила модель 256GB. Изменения производительности по сравнению с оригинальной версией прошивки v1.3 отображены в таблице характеристик.

Источники: www.anandtech.com; www.legitreviews.com; thessdreview.com

Plextor SSD M3 Series

2012-03-20T21:17:00.011+02:00

16 ноября 2011 года компания Plextor заявила о выпуске твердотельного накопителя Plextor M3S. 10 января 2012 года, на выставке потребительской электроники CES 2012, был представлен Plextor M3 Pro (M3P), отличающийся от M3S толщиной корпуса 7 мм и улучшенной прошивкой. В M3S|M3P SSD задействован контроллер серверного-класса Marvell 88SS9174 SATA 3.0 6Гбит/сек и флеш-память 24nm Toshiba Toggle DDR 1.0 MLC NAND, обеспечивающие скорости последовательного чтения до 525|535 МБ/сек и записи до 445|450 МБ/сек.
Plextor стремиться превзойти принятые в индустрии стандарты путём тщательных испытаний качества; каждый Plextor SSD подвергается двадцатичасовым высокотемпературным отбраковочным испытаниям и интенсивной симуляции разнообразной рабочей нагрузки, перед тем как покинуть фабрику. Вследствие, твердотельным накопителям Plextor присущ один из наинизших в индустрии средний годовой процент отказов 0.59%.
Plextor M3S|M3P SSD продаётся в США по цене 64GB/$109.99, 128GB|Pro / $179.99|$204.99, 256GB|Pro / $339.99|$374.99 и 512GB|Pro / $659.99|$679.99.

Технические характеристики:

	64GB	128GB\|Pro	256GB\|Pro	512GB\|Pro
Тип микросхем	24nm Toshiba MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
Последов. чтение (МБ/с)	520	510\|535	510\|540	525\|535
Последов. запись (МБ/с)	175	210\|350	360\|420	445\|450
Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	55K	70K\|75K	70K\|75K	56K\|56K
(МБ/с)	220	280\|300	280\|300	224\|224
Произвол. запись 4 KB (IOPS)	40K	50K\|69K	65K\|68K	30K\|34K
(МБ/с)	160	200\|276	260\|272	120\|136
Объём DDR3 кеш-памяти	128МБ	256МБ	512МБ	512МБ
MTBF	1,5 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	5/0.1 Ватт
Гарантия	5 лет

Внутри Plextor M3P SSD 128GB находится контроллер Marvell 88SS9174-BLD2 на одной стороне, восемь 16GiB флеш-микросхем 24nm Toshiba Toggle DDR 1.0 MLC NAND и один чип 256МБ DDR3 кеш-памяти на другой стороне. Физический объём накопителя составляет 128GiB, из которых 8,75GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 119GiB.
Внутри Plextor M3S|M3P SSD 256GB находится контроллер Marvell 88SS9174-BKK2|BLD2 на одной стороне, восемь 32GiB флеш-микросхем 24nm Toshiba Toggle DDR 1.0 MLC NAND и два чипа 256МБ DDR3 кеш-памяти на другой стороне. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 17,5GiB (7%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 238GiB.

Тестовая конфигурация Plextor M3P SSD 128GB и M3S|M3P SSD 256GB: Gigabyte GA-Z68XP-UD3-iSSD, Intel Core i7-2600K, Corsair Vengeance 16GB DDR3 1866 RAM, Windows 7 Ultimate 64-bit.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	128GB\|Pro	256GB\|Pro
Последовательное чтение:	-\|521.3	522.4\|537.2
Произвольное чтение 512KB:	-\|403.6	407.5\|414.0
Произвольное чтение 4КВ:	-\|35.15	34.69\|35.19
Произвольное чтение 4КВ QD32:	-\|297.7	300.9\|300.4

Последовательная запись:	-\|348.0	372.8\|438.9
Произвольная запись 512KB:	-\|346.9	374.6\|431.3
Произвольная запись 4КВ:	-\|101.0	98.43\|103.4
Произвольная запись 4КВ QD32:	-\|281.7	291.8\|280.7

Источники:
1) www.tweaktown.com/M3P 128GB
2) www.tweaktown.com/M3S 256GB
3) www.tweaktown.com/M3P 256GB

SanDisk Extreme SSD

2012-03-17T20:43:00.005+02:00

14 февраля 2012 года корпорация SanDisk - мировой лидер производства энергонезависимых устройств хранения данных - объявила о запуске серии твердотельных накопителей SanDisk Extreme SSD. В серии Extreme используется контроллер SandForce SF-2281 SATA 3.0 6Гбит/с и флеш-память 24nm SanDisk Toggle DDR 1.0 MLC NAND.
Toshiba и SanDisk создали совместное предприятие Flash Forward, Ltd. по производству флеш-памяти в сентябре 2010 года (50,1% принадлежат Toshiba и 49,9% SanDisk). В июле 2011 года новопостроенная в Японии фабрика Fab 5 приступила к массовому производству флеш-памяти по технологии 24 нанометра, и в августе 2011 были выпущены первые партии кристаллов. Производство далее запланировано перейти на технологию 19 нанометров.
SanDisk Extreme SSD уже доступен в США по цене 120GB/$178.99 и 240GB/$339.99. Модель 480GB появится позже в этом году с рекомендуемой ценой $749.99.

Технические характеристики:

	120GB	240GB	480GB
Тип микросхем	24nm SanDisk MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
Последов. чтение (МБ/с)	550	550	540
Последов. запись (МБ/с)	510	520	460
Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	23K	39K	44K
(МБ/с)	92	156	176
Произвол. запись 4 KB (IOPS)	83K	83K	46K
(МБ/с)	332	332	184
MTBF (млн. часов)	2.5	2.0	1.4
Потр. мощность, макс./мин.	0.6/- Вт
Гарантия	3 года

SanDisk Extreme SSD 120GB размещает четыре 32GiB флеш-микросхемы SanDisk 05091 032G MLC NAND на одной стороне. Физический объём накопителя составляет 128GiB, из которых 16GiB (12,5%) отведены в резерв. После форматирования, пользователю доступны 111GiB.
SanDisk Extreme SSD 240GB размещает восемь 32GiB флеш-микросхем SanDisk 05091 032G MLC NAND на двух сторонах (по 4 на каждой стороне). Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 32GiB (12,5%) отведены в резерв. Форматированная ёмкость - 223GiB.

Тестовая конфигурация SanDisk Extreme SSD 120GB: Intel DP67BG, Intel Core i5-2500K, Corsair Vengeance 8GB DDR3 1600 RAM, Windows 7 Ultimate SP1 64-bit.
Тестовая конфигурация SanDisk Extreme SSD 240GB: Gigabyte GA-Z68X-UD7-B3, Intel Core i7-2600K, Corsair Vengeance 2x4GB DDR3 1600 RAM, Windows 7.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	120GB	240GB
Последовательное чтение:	459.7	500.5
Произвольное чтение 512KB:	400.1	448.1
Произвольное чтение 4КВ:	26.83	36.97
Произвольное чтение 4КВ QD32:	122.0	226.1

Последовательная запись:	157.2	285.5
Произвольная запись 512KB:	156.5	285.3
Произвольная запись 4КВ:	83.35	86.10
Произвольная запись 4КВ QD32:	153.9	240.2

AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.

	120GB	240GB
Последовательное чтение:	448.41	515.42
Произвольное чтение 4КВ:	20.97	22.20
Произвольное чтение 4КВ QD64:	123.07	229.40

Последовательная запись:	148.76	276.28
Произвольная запись 4КВ:	56.71	66.06
Произвольная запись 4КВ QD64:	142.24	215.90

Источники: hexus.net; thessdreview.com; www.tweaktown.com

Marvell выпускает SSD-контроллер 88SS9187 SATA 3.1 6Гбит/сек 3-го поколения

2012-03-14T23:24:00.012+02:00

Компания Marvell объявила сегодня о массовом внедрении SSD-контроллера Marvell 88SS9187 третьего поколения (сменяющего предыдущий контроллер 88SS9174 SATA 3.0 6Гбит/сек). Контроллер 88SS9187 поддерживает интерфейс передачи данных SATA 3.1 с пропускной способностью 6Гбит/сек. Известные производители твердотельных накопителей (следует предполагать Intel, Crucial, Corsair и Plextor) намерены незамедлительно задействовать новый контроллер в своих решениях, и дополнительные партнёры подключатся позже в этом году.
Из других отличительных характеристик SSD-контроллера Marvell 88SS9187 SATA 3.1 6Гбит/сек 3-го поколения это:
- Лучшая энергоэффективность и низшая стоимость,
- До 200МБ/сек чтения/записи на канал,
- Внутренний RAID для каждой NAND-микросхемы для оптимизации утилизации изношенного NAND-блока, группы блоков, кристалла или всей микросхемы,
- Поддержка до 1Гигабайта DDR3 DRAM кеш-памяти,
- Предельно возможная скорость последовательного чтения для интерфейса 6Гбит/сек,
- Около 500МБ/сек скорости последовательной записи даже при захламленном накопителе,
- Наилучшие в классе показатели IOPS для произвольного чтения и записи при минимальном зарезервированном пространстве и минимальном падении производительности

Источники: www.anandtech.com; www.marvell.com

Планы AMD по выпуску CPU/GPU/APU на 2012-2013 год

2012-02-15T22:54:00.011+02:00

Планы AMD на период 2012-2013 годов в основном сосредоточены на выпуске новых CPU и APU, и мельком упоминается новое семейство графических процессоров 'Sea Islands' (на смену HD 7000 'Southern Islands'), выпуск которого намечен на 2013 год. 'Sea Islands' будет основываться на новой архитектуре графического ядра и поддерживать гетерогенные вычисления (HSA - Heterogenous Systems Architecture). Гетерогенные вычисления подразумевают выполнение одной задачи одновременно на CPU и GPU, единое адресное пространство, согласованность работы ядер обоих процессоров, и поддержку программным обеспечением.

В этом году появятся APU 'Trinity', обновлённая платформа 'Brazos 2.0', новая платформа 'Hondo' с ультра низким потреблением энергии (4.5Вт), и 2-е поколение настольных процессоров FX 'Vishera'.
AMD APU A-Series 'Trinity' 2-го поколения будут содержать от 2-х до 4-х вычислительных ядер 'Piledriver' (улучшенных 'Bulldozer'), графическое ядро DirectX11 2-го поколения, и выпускаться по 32-нм технологии. Стандартная мощность 'Trinity' для ноутбуков составит 35Вт; низковольтных - 17-25Вт.
В сравнении с A-Series 'Llano', производительность ядер 'Piledriver' A-Series 'Trinity' 35Вт для ноутбуков возрастёт на 25%, и производительность графики на 50%.
AMD APU C-Series и E-Series 'Brazos 2.0' для ноутбуков будут содержать 2-а вычислительных ядра 'Bobcat', графическое ядро DirectX11, и выпускаться по 40-нм технологии, с мощностью 9-18Вт.
AMD APU Z-Series 'Hondo' предназначены для планшетных компьютеров. 'Hondo' получит одно-два x86-ядра 'Bobcat', графическое ядро DirectX11, будет выпускаться по 40-нм технологии, с мощностью всего 4.5Вт.
Настольные процессоры AMD FX 'Vishera', получат от 4-х до 8-и х86-ядер 'Piledriver', и будут выпускаться по 32-нм технологии.

В 2013 году, производство всех AMD APU переместиться на технологию 28нм. Все APU получат графический процессор на архитектуре GCN (Graphics Core Next). APU 3-го поколения 'Kaveri', заменяющий 'Trinity', получит 2-4 вычислительных ядра 'Steamroller'. Энергоэффективные APU 2-го поколения 'Kabini' и 'Tamesh', заменяющие 'Brazos 2.0" и 'Hondo', получат 2-4 и 2 вычислительных ядра 'Jaguar' соответственно. В 'Kabini' и 'Tamesh' также будет интегрирован южный мост FCH (Fusion Controller Hub), таким образом превращая данные APU в систему на одном кристалле (SoC) 1-го поколения.
Будущие решения AMD сконцентрированы на гетерогенной архитектуре системы (HSA), в которой CPU, GPU и другие блоки вычислений будут дополнять друг друга при решении задач.

Источник: www.anandtech.com

Intel SSD 520 Series

2012-02-08T17:28:00.018+02:00

6 февраля 2012 года Intel выпустила следующую линейку своих накопителей - Intel SSD 520. 520-я серия построена на контроллере LSI SandForce SF-2281 SATA 3.0 6Гбит/с (LSI приобрела SandForce в октябре 2011 года за $370 млн). Intel SSD 520 поставляется с собственной прошивкой (версия 400i) контроллера SF-2281, которая отвечает всесторонним стандартам надёжности Intel. Перед выпуском на рынок, накопитель прошёл годичные испытания, в процессе которых, синие экраны, присущие стандартной прошивке SandForce, были устранены. Не известно ли данная прошивка в будущем будет предоставлена другим партнёрам SandForce.
Intel SSD 520 оценён в 60GB/$149, 120GB/$229, 180GB/$369, 240GB/$509 и 480GB/$999 для партии в 1000 единиц.

Технические характеристики:
- Толщина корпуса:
7 мм: 120/180/240GB
9.5 мм: 60/120/180/240/480GB
- Вес: Не более 78 грамм
- 256-битное AES-шифрование данных

	60GB	120GB	180GB	240GB	480GB
Тип микросхем	Intel 25nm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
^{1, 2}Сжимаемые данные
Последов. чтение (МБ/с)	550	550	550	550	550
Последов. запись (МБ/с)	475	500	520	520	520
Произвол. чтение 4 KB QD32 (IOPS)	15,000	25,000	50,000	50,000	50,000
(МБ/с)	60	100	200	200	200
Произвол. запись 4 KB QD32 (IOPS)	23,000	40,000	60,000	60,000	42,000
(МБ/с)	92	160	240	240	168
³Несжимаемые данные
Последов. чтение (МБ/с)	475	515	485	515	500
Последов. запись (МБ/с)	85	170	240	295	235
Произвол. чтение 4 KB QD64 (IOPS)	18,000	35,000	56,000	56,000	56,000
(МБ/с)	72	140	224	224	224
Произвол. запись 4 KB QD64 (IOPS)	22,000	42,000	54,000	60,000	36,000
(МБ/с)	88	168	216	240	144
MTBF	1,2 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	850/600 мВт
⁴Гарантия	5 лет

1. Последовательные скорости получены в Iometer, QD32.
2. Производительность файлов размером 4KB получена в Iometer, QD32, на промежутке пространства 8GB при заполненном SSD.
3. Производительность с несжимаемыми данными получена в AS-SSD.
4. Минимальный срок эксплуатации SSD составит 5 лет при типичной рабочей нагрузке, равной до 20GB записываемых данных в день.

Внутри Intel SSD 520 Series 240GB находится шестнадцать 16GiB синхронных флеш-микросхем Intel 29F16B08CCME2 MLC NAND на двух сторонах. В каждой микросхеме находится по два 8GiB-кристалла. Физический объём накопителя составляет 256GiB, из которых 32GiB (12,5%) отведены в резерв. В дополнение к прошивке, Intel использует свой собственный дизайн печатной платы. Форматированная ёмкость 240GB-модели составляет 223GiB; двух 240GB в RAID 0 - 446GiB.

Тестовая конфигурация Intel SSD 520 240GB и двух 240GB в RAID 0: ASUS P8P67 Deluxe, Intel Core i5 2500K, Crucial 2x2GB DDR3 1333, Windows 7 Pro 64-bit.

Результаты:
CrystalDiskMark 3.0.1 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	240GB	2x240GB, RAID 0
Последовательное чтение:	476.9	1004
Произвольное чтение 512KB:	413.3	681.1
Произвольное чтение 4КВ:	29.48	35.29
Произвольное чтение 4КВ QD32:	241.7	396.2

Последовательная запись:	300.2	541.3
Произвольная запись 512KB:	286.9	498.0
Произвольная запись 4КВ:	98.75	78.95
Произвольная запись 4КВ QD32:	262.9	457.5

AS-SSD 1.6.4. Мегабайт/сек.

	240GB	2x240GB, RAID 0
Последовательное чтение:	491.53	964.42
Произвольное чтение 4КВ:	22.52	25.64
Произвольное чтение 4КВ QD64:	228.62	473.42

Последовательная запись:	287.44	515.26
Произвольная запись 4КВ:	78.53	64.21
Произвольная запись 4КВ QD64:	237.22	414.40

Производительность Intel SSD 520 находится на равных с передовыми SandForce SF-2281 накопителями на рынке. Зная как взаимодействовать с флеш-памятью на уровне прошивки, Intel создала надёжный продукт, за который придётся заплатить сверх цены.

Источники: www.anandtech.com; www.legitreviews.com; www.techspot.com

Как создаются микропроцессоры Intel

2012-01-23T20:44:00.014+02:00

Вы когда-нибудь размышляли как создаётся микропроцессор вашего компьютера? Если да, тогда следующие иллюстрации покажут вам восхитительный процесс создания микропроцессоров Intel, работающих во многих компьютерах всего мира.

Создание кристалла: Технология 22 нанометра: '3-D Tri-Gate'-транзисторы
Песок / Слиток

  Рисунок 1 - Песок
Кремний - второй наиболее распространённый элемент земной коры. Обыкновенный песок содержит большую долю кремния. Кремний является исходным материалом создания компьютерных процессоров - он полупроводник, поэтому его без труда можно превратить в отличный проводник или непроводник электрического тока, добавляя в него малые доли примесей.
  Рисунок 2 - Расплавленный кремний - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Перед тем как использовать кремний в производстве компьютерных чипов, его необходимо очистить. Степень чистоты должна составлять меньше одного чужеродного атома на миллиард атомов кремния. Кремний плавят, и остужая выращивают твёрдое тело, которое представляет собой одноэлементную, протяжённую и непрерывную кристаллическую решётку в форме цилиндра, называемого слитком (ingot).
  Рисунок 3 - Слиток монокристаллического кремния - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Диаметр слитка составляет 300мм, и вес - около 100кг.

  Слиток / Кремниевая пластина

  Рисунок 4 - Резка слитка - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Слиток распиливают на отдельные кремниевые диски, называемые кремниевыми пластинами (wafer). Диаметр каждой пластины составляет 300мм, и толщина - около 1мм.
  Рисунок 5 - Кремниевая пластина - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Пластины полируют до получения безупречной, зеркальной поверхности. Intel покупает у своих поставщиков уже готовые к производству пластины. Размеры пластин увеличивались со временем, вследствие снижая стоимость чипа. Когда Intel только занялась производством чипов, диаметр пластин составлял всего 50мм; в настоящее время - 300мм, и индустрия намеревается продвинуться к 450мм.

Изготовление чипов на пластине состоит из сотен тщательно контролированных стадий, в процессе которых создаётся последовательность контурных слоёв разнообразных материалов один поверх другого.
Далее приведены примеры только наиболее важных стадий столь составного процесса.

  Фотолитография

  Рисунок 6 - Нанесение фоторезиста - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Фотолитография - это процесс, посредством которого на пластине отпечатываются определенные контуры (pattern). Процесс начинается с нанесения жидкости, называемой фоторезист (photoresist), который равномерно выливается на крутящуюся пластину. Фоторезист получил своё название от своего свойства восприимчивости к определённым частотам светового излучения ("photo"), и свойства устойчивости к определённым химикатам, которые позже будут использоваться для удаления участков слоя материала ("resist").
  Рисунок 7 - Экспозиция (Exposure) - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Фоторезист затвердевает, и его участки подвергаются ультрафиолетовому излучению (процесс экспозиции), растворяя фоторезист. Экспозиция выполняется с использованием масок, которые служат в качестве трафарета, чтобы растворялся только определённый контур фоторезиста. Маска содержит рисунок контура, который должен наноситься на пластину; контур оптически уменьшается с помощью линз, и оборудование, выполняющее экспозицию, смещается на шаг и повторяет процесс экспозиции по всей пластине, чтобы создать один и тот же рисунок большое количество раз.
  Рисунок 8 - Проявление резиста (Resist Development) - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Растворённый фоторезист удаляют с помощью химического процесса, оставляя контурный рисунок, идентичный рисунку на маске.

  Имплантация ионов

  Рисунок 9 - Имплантация ионов - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Кремниевую пластину с контурным рисунком бомбардируют лучом ионов (положительно или отрицательно заряженными атомами), которые внедряют себя под поверхность участков, не покрытых фоторезистом. Такой процесс называют допингом (doping), так как в кремний добавляют примеси. Процесс изменяет проводящие свойства кремния (делая его проводником или диэлектриком, в зависимости от используемого типа ионов) в выбранных участках. Рисунок показывает создание карманов (well) - участков, в пределах которых будут формироваться транзисторы.
  Рисунок 10 - Удаление фоторезиста - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
После имплантации ионов, фоторезист удаляют, и конечная кремниевая пластина получает контур примесных участков, в которых будут формироваться транзисторы.
  Рисунок 11 - Начало формирования транзистора - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Приблизимся к крошечному участку кремниевой пластины, в котором будет формироваться один транзистор. Зелёный участок символизирует примесный кремний. Современные кремниевые пластины могут вмещать сотни миллиардов таких участков, которые будут содержать транзисторы.

  Травление

  Рисунок 12 - Травление - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Чтобы создать ребро 'tri-gate'-транзистора, наноситься контур из материала, называемого защитная маска (hard mask) (синий цвет), с помощью только что описанного процесса фотолитографии. Потом используют химикат для вытравления ненужного кремния, оставляя после себя ребро со слоем защитной маски на верхушке.
  Рисунок 13 - Удаление фоторезиста - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Защитную маску удаляют химическим путём, оставляя высокое, тонкое ребро кремния, которое будет содержать канал транзистора.

  Формирование временного затвора

  Рисунок 14 - Диэлектрик затвора из диоксида кремния - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
С помощью стадии фотолитографии, участки транзистора покрывают фоторезистом; и создают тонкий слой диоксида кремния (красный цвет), помещая кремниевую пластину в цилиндрическую печь, заполняемую кислородом. Данный слой становится диэлектриком временного затвора.
  Рисунок 15 - Электрод затвора из поликремния - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Снова применяя стадию фотолитографии, создают временный слой из поликристаллического кремния (жёлтый цвет). Данный слой становится электродом временного затвора.
  Рисунок 16 - Изолятор - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
В следующей стадии оксидирования, создают слой из диоксида кремния по всей поверхности кремниевой пластины (красный прозрачный слой), чтобы изолировать данный транзистор от других элементов.

С целью избежания проблем стойкости транзистора, важно создавать металлический затвор после некоторых неминуемых высокотемпературных технологических стадий.
Intel использует метод "gate last" ("затвор последний") (также известный как "replacement metal gate" ("заменитель металлического затвора")) для создания металлических затворов транзистора.

  Формирование '"Gate-Last" High-k/Metal'-затвора

  Рисунок 17 - Удаление жертвенного затвора - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
С помощью стадии маскирования, вытравляют электрод временного (жертвенного) затвора и диэлектрик затвора. Теперь будет формироваться фактический затвор; так как первый затвор был удалён, данная процедура известна как "затвор последний" ("gate last").
  Рисунок 18 - Нанесение 'High-k'-диэлектрика - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
На поверхность кремниевой пластины наносят индивидуальные молекулярные слои, во время процесса, называемого "осаждение атомных слоёв" ("atomic layer deposition"). Изображённые жёлтые слои представляют два таких слоя. Применяя стадию фотолитографии, из нежелательных участков, таких как над прозрачным диоксидом кремния, вытравляют 'high-k'-материал (материал с высокой диэлектрической постоянной).
  Рисунок 19 - Металлический затвор - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
По всей пластине формируют электрод металлического затвора (синий цвет), и, используя стадию литографии, его удаляют из нежелательных участков. Сочетание данного электрода и 'high-k'-материала (тонкий жёлтый слой) наделяет транзистор намного лучшей рабочей характеристикой и меньшей утечкой тока, чем та, которая была бы возможна с традиционным затвором из диоксида кремния/поликремния.

  Осаждение металла

  Рисунок 20 - Готовый транзистор - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Данный транзистор близок к завершению. В слое изолятора (красный цвет) над транзистором были вытравлены три отверстия. Данные три отверстия заполнят медью или другим материалом, который станет контактами для других транзисторов.
  Рисунок 21 - Электроосаждение (Electroplating) - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
На этой стадии кремниевые пластины погружают в раствор сульфата меди. Ионы меди осаждают на транзистор посредством процесса, называемого электроосаждение. Ионы меди путешествуют от положительного полюса (анода) к отрицательному полюсу (катоду), которым является кремниевая пластина.
  Рисунок 22 - После электроосаждения - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Ионы меди оседают в виде тонкого слоя меди на поверхности кремниевой пластины.

  Слои металла

  Рисунок 23 - Полирование - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Излишек материала снимают механическим полированием до образования определённого контура меди.
  Рисунок 24 - После полирования - Масштаб: транзистор (~50-200нм)
Завершённый '3d'-транзистор после снятия излишка меди полированием. Теперь его можно соединить с другими транзисторами на кристалле.
  Рисунок 25 - Слои металла - Масштаб: транзистор (шесть соединённых транзисторов ~500нм)
Создают множественные слои металла для соединения дорожками всех транзисторов кристалла в определённой последовательности. Последовательность соединения всех дорожек определяется командами архитектурного проектирования, которые разрабатывают функциональные возможности соответственного процессора (напр., процессора Ivy Bridge). Хотя компьютерные чипы могут выглядеть крайне плоскими, они фактически могут состоять из более 30 слоёв, формирующих комплексную электрическую схему. Увеличенный вид кристалла покажет запутанную сеть электрических линий и транзисторов, которая напоминает футуристическую, многослойную систему магистралей.

После формирования всех межсоединительных слоёв, на каждый кристалл помещают массив шариков припоя (solder bump). Шарики являются электрическими соединениями, посредством которых кристалл будет обмениваться информацией с внешним миром, через корпус, в который данный кристалл помещают позже. (Шарики на рисунках не изображены).
По завершению обработки кремниевых пластин, они перемещаются из фабрики в комплекс сборки и испытаний.
В нём, каждый кристалл проходит испытания непосредственно на кремниевой пластине, потом отделяется, и те, прошедшие испытания, корпусируются. В заключение, проводят тщательные испытания корпусированных единиц, перед поставкой окончательного продукта.

  Испытания кремниевых пластин / Сингуляция (Singulation)

  Рисунок 26 - Испытания кремниевых пластин - Масштаб: кристалл (~10мм / ~0.5 дюйма)
Данный участок готовой кремниевой пластины подвергают испытаниям. Испытательная установка проходится по всей пластине; выводы головки установки соприкасаются с определёнными точками на верху пластины, и выполняется электрическое испытание. В каждый чип передают испытательную последовательность, отслеживают ответ, который сопоставляют с "правильным ответом".
  Рисунок 27 - Резка кремниевых пластин - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Кремниевую пластину разрезают на кусочки, называемые кристаллами (die) (процесс сингуляции). Изображённая пластина содержит процессоры Ivy Bridge с интегрированной графикой.
  Рисунок 28 - Отбор кристалла для корпусирования - Масштаб: кремниевая пластина (~300мм / 12 дюймов)
Кристалл, ответивший правильно на испытательную последовательность, отбирается для корпусирования.

  Корпусирование (Packaging)

  Рисунок 29 - Отдельный кристалл - Масштаб: кристалл (~10мм / ~0.5 дюйма)
Отдельный кристалл, который был вырезан в предыдущей стадии (сингуляции). На рисунке изображён кристалл первого микропроцессора Intel, изготовленного по 22-нанометровой технологии, с кодовым названием Ivy Bridge.
  Рисунок 30 - Корпусирование - Масштаб: корпус (~20мм / ~1 дюйм)
Печатную плату корпуса, кристалл и теплоотвод соединяют вместе, формируя завершённый процессор. Зелёная печатная плата обеспечивает электрический и механический интерфейс процессора с остальной системой компьютера. Серебряный теплоотвод выполняет роль теплового интерфейса, который помогает рассеивать тепло и охлаждать кремниевый кристалл.
  Рисунок 31 - Процессор - Масштаб: корпус (~20мм / ~1 дюйм)
Завершённый процессор (Ivy Bridge в этом случае). Микропроцессор считают наиболее сложным промышленным продуктом, который изготавливается человеком. В действительности, необходимы сотни стадий - в этой истории запечатлены только наиболее важные из них - в наиболее чистой среде планеты (фабрике микропроцессоров).

  Классовые испытания / Завершённый процессор

  Рисунок 32 - Классовые испытания - Масштаб: корпус (~20мм / ~1 дюйм)
В данном окончательном испытании тщательно проверяется функциональность, рабочие характеристики и мощность процессора.
  Рисунок 33 - Биннинг (Binning) - Масштаб: корпус (~20мм / ~1 дюйм)
Основываясь на результатах классовых испытаний, процессоры с одинаковыми характеристиками сортируются в лотки, готовые к поставке заказчикам.
  Рисунок 34 - Розничная упаковка - Масштаб: корпус (~20мм / ~1 дюйм)
Только что изготовленные и испытанные процессоры отправляются производителям компьютерных систем в лотках или в розничные магазины в коробке, показанной на рисунке.

Обновлено 03.06.2012:

Источник: newsroom.intel.com

LG и Samsung представили 55-дюймовые OLED-телевизоры на CES 2012

2012-01-15T20:53:00.007+02:00

LG 55EM9600 OLED-телевизор с диагональю 55 дюймов (140 см)
Корейский производитель электроники LG продемонстрировал на выставке потребительской электроники CES 2012 в Лас-Вегасе OLED-телевизор 55EM9600. Матрица пикселей такого телевизора полностью состоит из органических светодиодов (OLED). Каждый пиксель LG OLED-матрицы содержит четыре субпикселя красного, зелёного, синего и белого цвета - в противопоставление стандартной схеме из трёх RGB-субпикселей, используемой другими производителями OLED-телевизоров. Белый суб-пиксель добавляет изображению яркости. Поверх OLED-матрицы, LG добавила цветовой фильтр, который обеспечивает стабильность цветов и оттенков при больших углах обзора, посредством собственного алгоритма. Со слов LG, другие OLED-телевизоры проявляют значительные изменения цветовой гаммы и оттенков при больших углах обзора. Время отклика LG OLED-матрицы в 1000 раз быстрее, в сравнении с LCD LED, что полностью искореняет какое-либо смазывание изображения во время динамических сцен. Толщина LG 55EM9600 всего 4мм, рамка шириной 1мм по бокам практически отсутствует, и вес - 7.5кг. Блок управления телевизором с полноценным набором разъёмов подключается отдельно с помощью нестандартного кабеля.

Samsung KN55ES9000 Super OLED-телевизор с диагональю 55 дюймов (140 см)
Другой корейский производитель электроники - Samsung - выставил к обозрению свой собственный Super OLED-телевизор. Каждый пиксель Samsung Super OLED-матрицы состоит из трёх RGB-субпикселей, и цветовой фильтр не применяется. В телевизор встроены камера и микрофон, разрешающие управлять телевизором с помощью жестов, голосом, и распознавать лица - функциональность, названа "Smart Interaction"; встроен двух-ядерный процессор, обеспечивающий многозадачность работы телевизора; и, естественно, поддерживается 3D-режим изображения. Толщина Samsung KN55ES9000 Super OLED-телевизора составляет около 8мм.

Оба телевизора ожидаются в продаже со второй половины 2012 года. По мнению экспертов, цена 55-дюймов "OLED-недвижимости" составит не меньше $8000. Согласно расчётам LG, к 2016 году OLED-телевизоры выйдут на нынешний уровень цен LCD LED-телевизоров.

OLED-технология позволяет получить практически безграничный уровень контрастности, благодаря чему сохраняются мельчайшие детали даже самых затемнённых сцен. Такие цветовые характеристики с технической точки зрения невозможны с LCD LED.

Источники: ces.cnet.com/LG; ces.cnet.com/Samsung

OCZ Vertex 4 SSD появится в июне 2012 года

2012-01-14T19:18:00.005+02:00

На выставке потребительской электроники CES 2012, проходившей 10-13 января в Лас-Вегасе, OCZ продемонстрировала обновлённый контроллер Indilinx Everest 2 IDX400M00-BC (в серии Octane и Petrol используется Everest 1 IDX300M00-BC), возможно, на котором будет построен OCZ Vertex 4 SSD.

Заявленные характеристики Indilinx Everest 2:
- Интерфейс передачи данных SATA 3.0 6Гбит/сек
- Скорость последовательного чтения до 550МБ/сек
- Произвольная запись файлов размером 4КБ до 90,000 IOPS (360МБ/сек)
- Ёмкости до 2 Терабайт в форм-факторе 2.5 дюйма

На основе нового контроллера, OCZ предоставила тестовый SSD, который показал такие предварительные результаты производительности:
CrystalDiskMark 3.0.1 x64. Тестовый размер файла - 1000 MB. Мегабайт/сек.

	240GB (222GiB)
Последовательное чтение:	392.6
Произвольное чтение 512KB:	418.8
Произвольное чтение 4КВ:	31.91
Произвольное чтение 4КВ QD32:	333.7

Последовательная запись:	362.7
Произвольная запись 512KB:	358.5
Произвольная запись 4КВ:	106.9
Произвольная запись 4КВ QD32:	336.6

Источники: www.anandtech.com; thessdreview.com

OCZ внедряет Petrol SSD

2011-12-29T20:05:00.078+02:00

13 декабря 2011 - OCZ выпустила следующую серию твердотельных накопителей - OCZ Petrol SSD SATA 3.0 6Гбит/сек, построенную на контроллере Indilinx Everest.
Первоначальное предложение OCZ Petrol SSD должно было состоять из ёмкостей 64GB-512GB, по цене $89.99, $149.99, $339.99, $649.99 соответственно, но OCZ разместила характеристики всего двух вариантов. В серии Petrol будут использоваться более дешёвые асинхронные флеш-микросхемы производства не IMFT (Intel-Micron), в ущерб производительности, и в пользу невиданно доступной цены за гигабайт.

Технические характеристики:
- Ёмкости 64GB и 128GB
- 512MB DRAM кеш-памяти
- Задержки чтения/записи: 0.06ms/0.09ms
- Технология повышения циклов записи NAND флеш-памяти - Indilinx Ndurance™

	64GB	128GB
Тип микросхем	2Xnm MLC NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
¹Последов. чтение (МБ/с)	185	360
²Последов. запись (МБ/с)	75	145
³Произвол. чтение 4 KB QD32 (IOPS)	22,000	30,000
(МБ/с)	85	130
³Произвол. запись 4 KB QD32 (IOPS)	2,000	4,000
(МБ/с)	8	15
MTBF	1,25 млн. часов
Потр. мощность, макс./мин.	3.0/1.65 Ватт
Гарантия	3 года

1. Максимальные последовательные скорости получены в ATTO.
2. Максимальные скорости записи получены в Crystal Disk Mark.
3. Производительность файлов размером 4KB получена в Crystal Disk Mark, QD32.

Источники: www.anandtech.com; www.ocztechnology.com

Известны цены настольных процессоров Intel Ivy Bridge

2011-12-20T22:36:00.007+02:00

Микроархитектура Ivy Bridge, выпуск которой запланирован на второй квартал 2012 года, привнесёт ряд улучшений ядра процессора и интегрированной графики. Улучшенная микроархитектура повысит производительность ядра процессора на 15% и Turbo-частоты на 100 - 300 МГц. Встроенные графические ядра Intel HD 4000 и Intel HD 2500 будут поддерживать DirectX 11. А самое главное, процессоры Ivy Bridge будут потреблять меньше энергии при лучшей производительности. Цены процессоров Ivy Bridge за единицу во многом будут идентичны заменяемым Sandy Bridge.
Наиболее мощным и дорогим процессором серии Core i7 является Intel i7-3770K - четырёхядерный чип, работающий на частоте 3.5 ГГц, с разблокированным множителем, восьмью мегабайтами кеша третьего уровня, технологией гиперпоточности Hyper-Threading, и турбо-ускорением до 3.9 ГГц. Процессор заменит Core i7-2700K, и будет продаваться по той же цене $332, исходя из партии поставки 1000 единиц.
Наиболее мощным процессором Ivy Bridge Core i5 является Intel i5-3570K, который заменит Core i5-2500K, и оценён в $225.
Все процессоры Ivy Bridge i7, и i5-3570K, будут оснащены графическим ядром Intel HD 4000, работающим на частоте 650 МГц, которая сможет динамически возрастать до 1.05 - 1.15 ГГц. Остальные процессоры получат графику Intel HD 2500 с идентичными рабочими частотами.
Двухядерный i5-3470T будет доступен в мае. Оставшиеся десять процессоров i5 и i7 выйдут в апреле.

Модель	Ядер/ Потоков	Частота	Turbo- частота	Кеш L3	Мощность	Цена	Sandy Bridge CPU / Цена
Core i5-3450	4/4	3.1 GHz	3.5 GHz	6 MB	77 Ватт	$184	i5-2400 / $184
Core i5-3450S	4/4	2.8 GHz	3.5 GHz	6 MB	65 Ватт	$184	i5-2400S / $184
Core i5-3470T	2/4	2.9 GHz	3.6 GHz	3 MB	35 Ватт	$184	i5-2390T / $184
Core i5-3550	4/4	3.3 GHz	3.7 GHz	6 MB	77 Ватт	$205	i5-2500 / $205
Core i5-3550S	4/4	3 GHz	3.7 GHz	6 MB	65 Ватт	$205	i5-2500S / $205
Core i5-3570K	4/4	3.4 GHz	3.8 GHz	6 MB	77 Ватт	$225	i5-2500K / $216
Core i5-3570T	4/4	2.3 GHz	3.3 GHz	6 MB	45 Ватт	$205	i5-2500T / $205
Core i7-3770	4/8	3.4 GHz	3.9 GHz	8 MB	77 Ватт	$294	i7-2600 / $294
Core i7-3770K	4/8	3.5 GHz	3.9 GHz	8 MB	77 Ватт	$332	i7-2700K / $332
Core i7-3770S	4/8	3.1 GHz	3.9 GHz	8 MB	65 Ватт	$294	i7-2600S / $294
Core i7-3770T	4/8	2.5 GHz	3.7 GHz	8 MB	45 Ватт	$294	-

1. Суффиксы 'S' и 'T' служат для обозначения энергоэффективности процессоров. 'K' - разблокированный множитель и отсутствие поддержки технологий VT-d и Trusted Execution.

Источник: www.cpu-world.com

	120GB\|128GB	250GB\|256GB	500GB\|512GB
Тип микросхем	21nm Samsung Toggle DDR 2.0 NAND
Форм-фактор	2.5 дюйма
Последов. чтение (МБ/с)	530\|530	530\|540	530\|540
Последов. запись (МБ/с)	130\|390	240\|520	330\|520
Произвол. чтение 4 KB (IOPS)	85K\|97K	95K\|100K	97K\|100K
(МБ/с)	340\|388	380\|400	388\|400
Произвол. запись 4 KB (IOPS)	32K\|90K	44K\|90K	63K\|90K
(МБ/с)	128\|360	176\|360	252\|360
Потр. напряжение	5В ± 5%
Потр. мощность, макс./мин.	0.15 Ватт
Гарантия	3 года\|5 лет

	120GB\|128GB	250GB\|256GB	500GB\|512GB
Последовательное чтение:	540.6\|525.7	523.6\|543.4	523.2\|526.5
Произвольное чтение 512KB:	469.2\|446.5	440.2\|499.4	463.1\|461.4
Произвольное чтение 4КВ:	32.43\|40.58	29.90\|40.95	33.03\|37.25
Произвольное чтение 4КВ QD32:	351.4\|383.7	376.3\|400.6	380.9\|402.8

Последовательная запись:	134.5\|382.0	252.9\|524.6	333.6\|505.1
Произвольная запись 512KB:	133.8\|381.0	248.7\|474.1	330.1\|480.3
Произвольная запись 4КВ:	122.8\|134.6	93.34\|134.2	127.9\|92.37
Произвольная запись 4КВ QD32:	133.0\|366.2	244.1\|358.6	279.1\|363.0

	128GB\|Pro	256GB\|Pro
Последовательное чтение:	-\|521.3	522.4\|537.2
Произвольное чтение 512KB:	-\|403.6	407.5\|414.0
Произвольное чтение 4КВ:	-\|35.15	34.69\|35.19
Произвольное чтение 4КВ QD32:	-\|297.7	300.9\|300.4

Последовательная запись:	-\|348.0	372.8\|438.9
Произвольная запись 512KB:	-\|346.9	374.6\|431.3
Произвольная запись 4КВ:	-\|101.0	98.43\|103.4
Произвольная запись 4КВ QD32:	-\|281.7	291.8\|280.7