electrical engineering

full wave rectifier, its efficiency and ripple factor in hindi

2020-12-02T21:12:00.000+05:30

full wave rectifier (पूर्ण तरंग दिष्टकारी )

full wave rectifier का उपयोग AC को DC में परिवर्तित करने के लिए किया जाता है इससे पहले हमने हाफ वेव रेक्टिफायर पड़ा था |

हाफ वेव रेक्टिफायर AC की हाफ वेव को ही DC में परिवर्तित कर पाता था | और उसकी दक्षता भी 50 % के आस पास होती है | इन दोनों समस्या को दूर करने के लिए फुल वेव रेक्टिफायर का उपयोग किया जाता है

full wave rectifier

फुल वेव रेक्टिफायर AC की पॉजिटिव व नेगटिव दोनों वेव को DC में परिवर्तित कर देता है और इसकी दक्षता भी 80 % से ज्यादा होती है

इसमें भी स्टेप डाउन ट्रांसफॉर्मर का उपयोग किया जाता है और इसमें एक के स्थान पर दो डायोड का उपयोग किया जाता है

यह AC की पूरी वेव को DC में परिवर्तित करता है इसलिए इसे फुल वेव रेक्टिफायर कहते है

working of full wave rectifier(पूर्ण तरंग दिष्टकारी की कार्यविधि )

फुल वेव रेक्टिफायर की कार्यविधि हम वेव फॉर्म से समझेंगे

full wave rectifier waveform

जब हम फुल वेव रेक्टिफायर में AC सप्लाई देते है तो उसमे स्टेप डाउन ट्रांसफॉर्मर लगा होता है जो वोल्टेज को कम कर देता है

फिर आगे परिपथ में दो डायोड लगे होते है डायोड D1 AC वेव की पॉजिटिव हाफ साइकिल के साथ फॉरवर्ड बायस में होता है और डायोड D2 रिवर्स बायस में होता है

जिसके कारण यह डायोड D1 AC वेव की पॉजिटिव हाफ साइकिल को DC में परिवर्तित कर देता है

फिर डायोड D2 AC वेव की नेगटिव हाफ साइकिल के साथ फॉरवर्ड बायस में होता है और डायोड D1 रिवर्स बायस में होता है

जिसके कारण यह डायोड D2 AC वेव की नेगटिव हाफ साइकिल को DC में परिवर्तित कर देता है

अर्थात डायोड D1 पॉजिटिव हाफ साइकिल के साथ और डायोड D2 नेगटिव हाफ साइकिल के साथ फॉरवर्ड बायस में होते है

और AC की पूरी वेव को रेक्टिफायी करके DC में परिवर्तित कर देते है जैसा की ऊपर वेव फॉर्म में बताया गया है इसलिए इसे फुल वेव रेक्टिफायर कहा जाता है

efficiency of full wave rectifier(पूर्ण तरंग दिष्टकारी की दक्षता)

efficiency(η)=output.dc.poweroutput.ac.power=PdcPac

DC Power के लिए

P=I2R

Pdc=I2dc×Rl

Idc2Imπ

Pdc=(2Imπ)2×Rl

Pdc=4I2mπ2×Rl↦(1)

AC पावर के लिए

P=I2R

Pdc=I2rms×(Rl+Rd)

Irms=Im2√

Pac=(Im2√)2×(Rl+Rd)

Pac=Im22×(Rl+Rd)↦(2)

eq. (1) or (2) से

η=PdcPac

η=4I2mπ2×RlI2m2×(Rl+Rd)

η=4I2m×Rl×2I2m×(Rl+Rd)×π2

η=4×Rl×2(Rl+Rd)×π2

η=8×Rl(Rl+Rd)×π2

η=8π2×RlRl(1+RdRl)

[∵ Rl＞＞＞＞＞＞＞＞Rd ]

η=8π2

η=0.812

η% = 81.2%

ripple factor of full wave rectifier(फुल वेव रेक्टिफायर का रिप्पल

फैक्टर)

जब हम AC वेव को रेक्टिफायर के द्वारा DC में परिवर्तित करते है तो वह पूर्ण रूप से DC में परिवर्तित नहीं हो पाती है और उस DC वेव में AC वेव का कुछ पार्ट रह जाता है जिसे रिप्पल है

Irms=I2ac+I2dc−−−−−−−√I2ac+I2dcI2ac+I2dc

I2rms=I2ac+I2dc

I2ac=I2rms−I2dc

Iac=I2rms−I2dc−−−−−−−−√

Ripple factor=IacIdc

Ripple factor=I2rms−I2dc−−−−−−−−√Idc

Ripplefactor=I2rmsI2dc−I2dcI2dc−−−−−−−−−√

Ripplefactor=(√IrmsIdc)2−1

Irms=Im2√

Idc=2Imπ

R.F.=(√IrmsIdc)2−1

R.F.=(√Im2√2Imπ)2−1

R.F.=(√Im2√×π2Im)2−1

R.F.=(√12√×π2)2−1

R.F.=(√π2√×2)2−1

R.F.=π2(22√)2−1−−−−−−−−−−√

R.F.=π28−1−−−−−−√

R.F.= 0.48

half wave rectifier, its efficiency and ripple factor in hindi

2020-11-29T21:40:00.004+05:30

half wave rectifier (अर्ध-तरंग दिष्टकारी)

half wave rectifier का उपयोग AC को DC में परिवर्तित करने के लिए किया जाता है और ऐसा रेक्टिफायर जो AC की हाफ वेव को ही DC में परिवर्तित करता है उसे हाफ वेव रेक्टिफायर कहते है

half wave rectifier

हाफ वेव रेक्टिफायर ऊपर चित्र में दर्शाया है इसमें एक स्टेप डाउन ट्रांसफॉर्मर का उपयोग किया जाता है और एक डायोड का उपयोग किया जाता है डायोड करंट को एक ही डायरेक्शन में फ्लो करने देता है

working of half wave rectifier(अर्ध तरंग दिष्टकारी की कार्यविधि )

हाफ वेव रेक्टिफायर की कार्यविधि हम वेव फॉर्म से समझेंगे

half wave rectifier waveform

जब हम हाफ वेव रेक्टिफायर में AC सप्लाई देते है तो उसमे स्टेप डाउन ट्रांसफॉर्मर लगा होता है जो वोल्टेज को कम कर देता है

फिर आगे परिपथ में एक डायोड लगा होता है यह डायोड AC वेव की पॉजिटिव हाफ साइकिल के साथ फॉरवर्ड बायस में होता है

जिसके कारण यह AC वेव की पॉजिटिव हाफ साइकिल को DC में परिवर्तित कर देता है लेकिन यह डायोड AC की नेगेटिव हाफ साइकिल के साथ रिवर्स बायस में होता है

जिसके कारण यह डायोड AC वेव की नेगेटिव हाफ साइकिल को DC में परिवर्तित नहीं कर पाता है जैसा की आप ऊपर दिए गए चित्र में देख सकते है

यह रेक्टिफायर AC की आदि वेव को ही DC में परिवर्तित कर पाता है इसलिए इसे हाफ वेव रेक्टिफायर कहते है

efficiency of half wave rectifier(अर्ध तरंग दिष्टकारी की दक्षता)

efficiency(η)=output.dc.poweroutput.ac.power=PdcPac

equation AC wave

I=Imsinθ

Iav=12π∫π0Idθ

Iav=12π∫π0Imsinθdθ

Iav=12π∫π0(VmRl+Rd)sinθdθ

Iav=12π(VmRl+Rd)∫π0sinθdθ

Iav=12π(VmRl+Rd)[−(cosπ−cos0)]

Iav=12π(VmRl+Rd)[−(−1+1)]

Iav=12π(VmRl+Rd)[2]

Iav=1π(VmRl+Rd)

(∵Im=(VmRl+Rd)

Iav=Imπ=Idc

DC Power के लिए

P=I2R

Pdc=I2dc×Rl

Pdc=(Imπ)2×Rl↦(1)

AC पावर के लिए

P=I2R

Pac=I2ac×Rac

Pac=I2rms×(Rl+Rd)

Pac=(Im2)2×(Rl+Rd)

Pac=Im24×(Rl+Rd)↦(2)

η=PdcPac

η=(I2mπ2)×Rl(I2m4)×(Rl+Rd)

η=I2m×4×RlI2m×π2×(Rl+Rd)

η=4×Rlπ2Rl(1+RdRl)

η=4π2(1+RdRl)

load करंट ज्यादा है डायोड से इसलिए ये नगण्य हो जायेगा

η=4π2

η=0.406η

η%=40. 6 %

ripple factor of half wave rectifier(हाफ वेव रेक्टिफायर का रिप्पल

फैक्टर)

Irms=I2ac+I2dc−−−−−−−−−−√

I2rms=I2ac+I2dc

I2ac=I2rms−I2dc

Iac=I2rms−I2dc−−−−−−−−−−−√

Ripple factor=IacIdc

Ripple factor=I2rms−I2dc−−−−−−−−−−−√Idc

R.F.=I2rmsI2dc−I2dcI2dc−−−−−−−−−−−−√ex

R.F.=(IrmsIdc)2−1−−−−−−−−−−√

Irms=Im2

Idc=Imπ

R.F.=(IrmsIdc)2−1−−−−−−−−−−√

R.F.=(Im2Imπ)2−1−−−−−−−−−⎷

R.F.=(Im2×πIm)2−1−−−−−−−−−−−−−−√

R.F.=(2×π)2−1−−−−−−−−−−−√R.F.=(2×π)2−1−−−−−−−−−−−√

R.F.=(2×π)2−1−−−−−−−−−−−√

R.F.=(π2)2−1−−−−−−−√

R.F.=π42−1−−−−−−√

R.F.=1.21

Iav=

P-N Junction Diode Full Concept Explained in hindi

2020-11-23T21:26:00.001+05:30

P-N Junction Diode in hindi

P-N Junction

P-N Junction Diode को बनाने के लिए एक P टाइप सेमीकंडक्टर और एक N टाइप सेमीकंडक्टर इन दोनों को यदि जोड़ दिया जाये तो P-N जंक्शन का निर्माण होता है

p-type semiconductor =p टाइप सेमीकंडक्टर में हॉल की majority(बहुसंख्यक) होती है और इलेक्ट्रॉन की minority(अल्पसंख्यक) होती है

N-type semiconductor = N टाइप सेमीकंडक्टर में इलेक्ट्रॉन की majority(बहुसंख्यक) होती है और हॉल की minority(अल्पसंख्यक) होती है

P or N type सेमीकंडक्टर की पूरी जानकारी के लिए क्लिक करे

P-N Junction

अब जैसे ही P-N जंक्शन का निर्माण होता है वैसे ही डिप्लेशन लेयर बन जाती है क्योंकि हॉल पोसिटिवली चार्ज होते है और इलेक्ट्रान नेगेटिवली चार्ज होते है

जैसे ही P-N को जोड़ा जाता है तो हीट या हम कह सकते है की एट्रैक्शन के कारण कुछ इलेक्ट्रान P टाइप और कुछ हॉल N टाइप सेमीकंडक्टर में चले जाते है

अब कुछ हॉल जो N टाइप सेमीकंडक्टर में चले जाते है उन पर पॉजिटिव चार्ज रहता है और कुछ इलेक्ट्रान जो P टाइप सेमीकंडक्टर में चले जाते है उन पर नेगेटिव चार्ज रहता है

पोसिटिव को हाई पोटेंशियल और नेगेटिव को लौ पोटेंशियल कहते है और हम जानते है हाई और लौ पोटेंशियल की बिच डिफरेंस होता है

जिससे की डिप्लेशन लेयर पर पोटेंशियल डिफरेंस क्रिएट हो जाता है और इस पोटेंशियल डिफरेंस के क्रिएट होने को हम पोटेंशियल बेरियर कहते है

P-N Junction Diode

P-N जंक्शन Diode को जानने से पहले हम ये जान लेते है की Diodeक्या होता है जिससे P-N जंक्शन Diode हमें आसानी से समझ में आ जायेगा

Diode =डायोड जो होता है वो दो टर्मिनल एनोड और कैथोड का इलेक्ट्रॉनिक कॉम्पोनेन्ट होता है और यह करंट को एक ही डायरेक्शन में एनोड से कैथोड की और फ्लो करवाता है

और इसकी एक खास बात यह होती है की जिस डायरेक्शन में करंट फ्लो होती है वहा पर लो रेजिस्टेंस होता है और करंट के ओपोजिट डिडक्शन में हाई रेजिस्टेंस होता है

P-N Junction Diode

अगर हम P-N जंक्शन में दो टर्मिनल एनोड और कैथोड को जोड़ दे| जैसा की ऊपर चित्र में बताया गया है तो उसे P-N जंक्शन डायोड कहा जाता है

P-N जंक्शन Diode में जब इलेक्ट्रान P टाइप सेमीकंडक्टर में आते है तो कुछ मात्रा में करंट का फ्लो होता है क्योकि हम जानते है की जब इलेक्ट्रान ट्रैवल करता है तो करंट फ्लो होती है

लेकिन फिर इलेक्ट्रान होल के साथ संयुक्त होकर न्यूट्रल हो जायेंगे और हॉल इलेक्ट्रान के साथ संयुक्त होकर न्यूट्रल हो जायेंगे

जिससे की डिप्लेशन लेयर बनने के कारण करंट जीरो हो जाती है और करंट का फ्लो नहीं होता है

अब हम ये जानेंगे की P-N जंक्शन डायोड की वर्किंग और उसमे करंट कब फ्लो होगी

working of p-n junction diode

p-n जंक्शन डायोड की वर्किंग दो प्रकार की होती है

1. p-n जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस (forward Bias)

2. p-n जंक्शन डायोड रिवर्स बायस (Reverse Bias )

1. p-n जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस (forward Bias)

pn junction diode in forward bias

यदि हम P-N जंक्शन डायोड में P टाइप सेमीकंडक्टर को बैटरी के पॉजिटिव टर्मिनल से और N टाइप सेमीकंडक्टर को बैटरी के नेगेटिव टर्मिनल से कनेक्ट कर दे तो इस प्रकार की वाइसिंग को फॉरवर्ड बायस कहा जाता है

यदि हम स्टार्टिंग में बहुत कम वोल्टेज V दे तो करंट फ्लो होना स्टार्ट हो जायेगा लेकिन डिप्लेशन लेयर पर वोल्टेज आकर बिलकुल ड्रॉप हो जाता है

और अगर हम डिप्लेशन लेयर की तरफ वोल्टेज मेजर करे तो वहा पर वोल्टेज ड्रॉप हो जाता है ऐसा इसलिए होता है क्योकि वहा पर एक लेयर बन चूका है

जहा पर कोई भी फ्री चार्ज नहीं है क्योकि वो कम्बाइंड हो चुके है इसलिए जो डिप्लेशन लेयर होती है वो एक रेजिस्टेंस का काम करती है इसलिए वहा पर वोल्टेज ड्रॉप हो जाता है

और इसलिए हम इसको बैरियर पोटेंशियल कहते है और अब हम जैसे-जैसे वोल्टेज को बढ़ाते है वैसे-वैसे डिप्लेशन लेयर पतला होता जाता है

और एक कंडीशन ऐसी आती है की डिप्लेशन लेयर बिलकुल ख़त्म हो जाती है और डिप्लेशन लेयर जिस वोल्टेज पर ख़त्म होती है वो वोल्टेज 0.7 वोल्ट होता है अगर ये सिलिकॉन का है तो

अब डिप्लेशन लेयर के टूटने के कारण P टाइप में जो हॉल है वो बैटरी के पॉजिटिव टर्मिनल से कनेक्ट होने से रिपल्शन हो जाते है जिससे हॉल N टाइप में जाने लगते है

इसी प्रकार इलेक्ट्रोन भी बैटरी के नेगेटिव टर्मिनल से कनेक्ट होने के कारण रिपल्शन हो जाते है और वो भी P टाइप में जाने लगते है अर्थात हॉल N टाइप सेमीकंडक्टर में जाने लगते है

और इलेक्ट्रान P टाइप सेमीकंडक्टर में जाने लगते है जिससे करंट का फ्लो होना स्टार्ट हो जाता है और करंट हमेशा पॉजिटिव से नेगटिव की और ही फ्लो होती है

2. p-n जंक्शन डायोड रिवर्स बायस (Reverse Bias )

pn junction diode in reverse bias

यदि हम P-N जंक्शन डायोड में P टाइप सेमीकंडक्टर को बैटरी के नेगेटिव टर्मिनल से और N टाइप सेमीकंडक्टर को बैटरी के पॉजिटिव टर्मिनल से कनेक्ट कर दे तो इस प्रकार की वाइसिंग को रिवर्स बायस कहा जाता है

अब रिवर्स बायस में N टाइप में उपस्थित इलेक्ट्रान बैटरी के पॉजिटिव टर्मिनल से कनेक्ट होने के कारण आकर्षित होते है जिससे इलेक्ट्रान बैटरी के पॉजिटिव टर्मिनल की और शिफ्ट हो जाते है

इसी प्रकार P टाइप में उपस्थित हॉल बैटरी के नेगेटिव टर्मिनल से कनेक्ट होने के कारण आकर्षित होते है जिससे हॉल भी बैटरी के नेगेटिव टर्मिनल की और शिफ्ट हो जाते है

जिससे की डिप्लेशन लेयर और चौड़ी हो जाती है और डिप्लेशन लेयर के चौड़े होने के कारण करंट का फ्लो नहीं हो पाता है

क्योकि डिप्लेशन लेयर के चौड़े होने के कारण हॉल N टाइप में नहीं जा पाते है और इलेक्ट्रान P टाइप में नहीं जा पाते है

और इसके कारण कोई भी चार्ज फ्रीली मूव नहीं कर पाता है जिसके कारण रिवर्स बायस में करंट ब्लॉक हो जाती है फ्लो नहीं हो पाती है

रिवर्स बायस में अगर हम वोल्टेज को बढ़ाते जाये तो डिप्लेशन लेयर चौड़ी होती जाती है और एक ऐसा वोल्टेज आता है की डिप्लेशन लेयर टूट जाती है

जिसे हम ब्रेक डाउन वोल्टेज कहते है और इस केस में करंट इंक्रीज कर जाती है फिर हॉल्स और इलेक्ट्रान फ्रीली मूव करते है

और करंट का फ्लो होना स्टार्ट हो जाता है और बहुत अधिक वोल्टेज पर ही डिप्लेशन लेयर टूटती है

V-I characteristics of pn junction diode

vi characteristics of pn junction diode

फॉरवर्ड बायस में जब हम वोल्टेज को बढ़ाते है तो करंट पर कोई इफ़ेक्ट नहीं पड़ता है लेकिन जब वोल्टेज ०.7 वॉल्ट पर पहुँचता है तो डिप्लेशन लेयर टूट जाती है और फिर करंट भी बढ़ना स्टार्ट कर देती है जैसा की ऊपर V-I characteristics में बताया गया है

रिवर्स बायस में जब वोल्टेज को बढ़ाते है तो करंट पर कोई इफ़ेक्ट नहीं पड़ता है फिर हम वोल्टेज को बढ़ाते जाते है वोल्टेज को और धीरे-धीरे बढ़ाते जाते है

फिर बहुत ज्यादा वोल्टेज बढ़ाने पर एक ऐसी कंडीशन आती है की डिप्लेशन लेयर टूट जाती है जिसे ब्रेक डाउन वोल्टेज कहते है

और करंट इंक्रीस कर जाती है जिससे की बहुत ज्यादा करंट मिलती है जैसा की ऊपर V-I characteristics में बताया गया है

semiconductor or सेमीकंडक्टर के प्रकार और इनका इलेक्ट्रिक कंडक्शन

2020-11-18T18:16:00.005+05:30

semiconductor

semiconductor [अर्धचालक] वह पदार्थ होते है जिसका विद्युतये गुण सुचालक तथा कुचालक के मध्य का होते हैं।इनके चालन व संयोजी बैंड आंशिक रूप से भरे हुए होते है

सेमीकंडक्टर दो प्रकार के होते है

1. intrinsic semiconductor[निज अर्धचालक]

2. extrinsic semiconductor[बाह्य अर्धचालक]

1. intrinsic semiconductor[निजअर्धचालक]

इन्ट्रिंसिक सेमीकंडक्टर वह सेमीकंडक्टर होते है जो शुद्ध [pure] अवस्था [condition] में होते है जिसमे कोई भी इम्पियोरिटी [अशुद्धता] नहीं होती है

उसे हम इन्ट्रिंसिक सेमीकंडक्टर कहते है जैसे:- सिलिकॉन और जर्मेनियम अर्थात जो भी टेट्रावेलेंट एलिमेंट होते है वो इन्ट्रिंसिक सेमीकंडक्टर होते है

टेट्रावेलेंट का मतलब जिनके बहरी कोष में 4 इलेक्ट्रान होते है अर्थात जिनकी वेलेन्सी 4 होती है और इन्ट्रिंसिक सेमीकंडक्टर की कंडक्टिविटी पुअर अर्थात इतनी अच्छी नहीं होती है

इन्ट्रिंसिक अर्धचालक में विद्युत चालन[electric conduction in intrinsic semiconductor]

Si=14 or Ge=32

Si= 2 ,8, 4

Ge=2 ,8, 18, 4

intrinsic semiconductor

चित्र के अनुसार सिलिकॉन के बहरी कोष में 4-4 इलेक्ट्रान है जब बहुत सारे एटम मिलते है तभी कम्पाउंड बनता है और कम्पाउंड के अंदर ही करंट फ्लो की जाती है|

और ऊपर जो सिलिकॉन का स्ट्रक्चर है उसमे सभी सिलिकॉन आपस में इलेक्ट्रान का आदान प्रदान कर रहे है और इसी आदान प्रदान के कारण covalent bond का निर्माण होता है|

At absolute zero temp. =अगर हम सिलिकॉन या जर्मेनियम लेते है| absolute zero temp.पर तो इसके जो बॉन्ड होंगे| वो पूरी तरीके से जुड़े होंगे ये बॉन्ड ब्रेक नहीं होंगे|

और एक भी फ्री इलेक्ट्रान इसमें नहीं होगा| और जब किसी भी चीज में फ्री इलेक्ट्रान होते है तभी उसमे करंट फ्लो होती है

Room temp. =रूम टेम्प्रेचर पर जब सिलिकॉन या जर्मेनियम को रखा जाता है तो कुछ covalent bond ब्रेक हो जाते है जिससे फ्री इलेक्ट्रान मिलते है

और फिर जैसे ही हम इस पर बेट्री की सप्लाई देते है तो इलेक्ट्रान पर्टिकुलर डायरेक्शन में फ्लो होने लगते है| जिससे हमें करंट मिलती है

लेकिन इतनी ज्यादा मात्रा में नहीं मिलती है| इसलिए इसकी कंडक्टिविटी पुअर होती है

2. Extrinsic semiconductor[बाह्य अर्धचालक]

अगर शुद्ध[pure] सेमीकंडक्टर में कुछ अशुद्धि[impurity] मिला दी जाये तो उसे extrinsic सेमीकंडक्टर कहा जाता है

इस प्रकार के सेमीकंडक्टर की कंडक्टिविटी बहुत अच्छी होती है extrinsic सेमीकंडक्टर दो प्रकार के होते है

1. p-type सेमीकंडक्टर

2. n-type सेमीकंडक्टर

1. p-type सेमीकंडक्टर = p-type सेमीकंडक्टर ऐसे सेमीकंडक्टर होते हैं जो की त्रीसंयोजी होते है [trivalent impurity मिला दी जाये] अर्थात यदि शुद्ध सेमीकंडक्टर में कोई ऐसा एलिमेंट मिला दिया जाये

जिसके बाहरी कोष में तीन इलेक्ट्रान हो जिसकी वैलेन्सी 3 हो तो इस प्रकार के सेमीकंडक्टर को p-type सेमीकंडक्टर कहा जाता है जैसे:-एल्युमीनियम[Al ],बोरोन[B]

2. n-type सेमीकंडक्टर = n-type सेमीकंडक्टर ऐसे सेमीकंडक्टर होते है जो की पंचसंयोजी होते है [pentavalent impurity मिला दी जाये] अर्थात यदि शुद्ध सेमीकंडक्टर में कोई ऐसा एलिमेंट मिला दिया जाये

जिसके बाहरी कोष में पांच इलेक्ट्रान हो जिसकी वैलेन्सी 5 हो तो इस प्रकार के सेमीकंडक्टर को n-type सेमीकंडक्टर कहा जाता है जैसे:-फॉस्फोरस[P]

एक्सट्रिन्सिक अर्धचालक में विद्युत चालन[electric conduction in extrinsic semiconductor ]

1 p-type सेमीकंडक्टर

जब trivalent impurity एल्युमीनियम[Al] को सिलिकॉन[Si] में मिला दिया जाये तो

p-type semiconductor

चित्र के अनुसार हमने सिलिकॉन शुद्ध सेमीकंडक्टर में trivalent impurity एल्युमीनियम[Al] को एड किया है

यहाँ पर इलेक्ट्रॉन्स का आपस में आदान प्रदान होगा इसमें 4-4 इलेक्ट्रान का आदान प्रदान होगा और उन पर कोवेलेंट बॉन्ड बन जाएगा|

लेकिन एल्युमीनियम[Al] के बहरी कोष में 3 इलेक्ट्रान होने के कारण एक जगह खाली रह जायगी| जिसे हम hole कहते है वहा पर कोवेलेंट बॉन्ड नहीं बन पायेगा|

अब यहाँ पर जो हॉल है और उस हॉल के आस-पास के जो इलेक्ट्रान है वो इस हॉल को भरने के लिए आगे आयंगे जैसे ही एक इलेक्ट्रान इस हॉल को भरता तो उस इलेक्ट्रान के स्थान पर हॉल बन जाता है

फिर उस हॉल को भरने के लिए जब दूसरा इलेक्ट्रान आगे आता है तो फिर से दूसरे इलेक्ट्रान के स्थान पर हॉल बन जाता है

फिर इस हॉल को भरने के लिए तीसरा इलेक्ट्रान इलेक्ट्रान आगे आता है तो फिर तीसरे इलेक्ट्रान के स्थान पर हॉल बन जाता है

इस प्रकार यह प्रक्रिया चलती रहती है तो यहाँ पर करंट को फ्लो करने में हॉल मदत कर रहा है तो यहाँ पर करंट का फ्लो हॉल के कारण होता है क्योकि यहाँ पर इलेक्ट्रान को फ्लो करने का काम हॉल कर रहा है

यहाँ पर हॉल की संख्या ज्यादा होती है और इलेक्ट्रान की संख्या कम होती है क्योकि इसमें फ्री इलेक्ट्रान नहीं होता है

2 n-type सेमीकंडक्टर

जब pentavalent impurity फॉस्फोरस[P] को सिलिकॉन[Si] में मिला दिया जाये

n-type semiconductor

चित्र के अनुसार इस बार हमने सिलिकॉन शुद्ध सेमीकंडक्टर में pentavalent impurity फॉस्फोरस[P] को एड किया है

अब यहाँ पर भी इलेक्ट्रान का आपस में आदान प्रदान होगा इसमें 4-4 इलेक्ट्रान का आदान प्रदान होगा और उन पर कोवेलेंट बॉन्ड बन जाएगा|

लेकिन फॉस्फोरस[P] के बहरी कोष में 5 इलेक्ट्रान होने के कारण एक इलेक्ट्रान फ्री रह जायेगा उस पर बॉन्ड नहीं बन पायेगा|

और इसी फ्री इलेक्ट्रान के कारण इसमें करंट आसानी से फ्लो होती है यहाँ पर एलेक्ट्रोनो की संख्या ज्यादा होती है और होल की संख्या कम होती है क्योकि यहाँ पर कोई भी जगह खाली नहीं होती है